臺積電6nm明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn) 年底前量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2019-10-9 10:09    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 臺積電 , 6nm
來(lái)源:中關(guān)村在線(xiàn)

近日臺積電透露6納米制程技術(shù)明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn),明年年底前量產(chǎn)。該公司表示,其極紫外光(EUV)微影技術(shù)之7納米強效版(N7+)制程已協(xié)助客戶(hù)產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于該公司成功的7納米制程之上,為6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎。

臺積電稱(chēng),隨著(zhù)EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應用,N6的邏輯密度將比N7提高18%,而N6憑借與N7完全相容的設計法則,也可大幅縮短客戶(hù)產(chǎn)品上市的時(shí)間。
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