|
相變存儲器（可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM）是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實(shí)現一億次以上的擦寫(xiě)次數。本文將為您介紹相變存儲器的基本原理及其最新的測試技術(shù)。 下載： 
相變存儲器：基本原理與測量技術(shù).pdf
(300.12 KB)
了解更多，請訪(fǎng)問(wèn)Keithley技術(shù)專(zhuān)區。 |
