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來(lái)源：快科技 在上周的說(shuō)法會(huì )上，臺積電宣布2020年的資本開(kāi)支是150到160億美元，其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴增，包括7nm、5nm及3nm。這次說(shuō)法會(huì )上臺積電沒(méi)有公布3nm工藝的情況，因為他們4月份會(huì )有專(zhuān)門(mén)的發(fā)布會(huì )，會(huì )公開(kāi)3nm工藝的詳情。 臺積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線(xiàn)，對半導體行業(yè)來(lái)說(shuō)很重要，因為目前能夠深入到3nm節點(diǎn)的就剩下臺積電和三星了，其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝，明確會(huì )放棄FinFET晶體管，轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。 具體來(lái)說(shuō)，三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP，后者的性能更好，不過(guò)首發(fā)的是第一代GAA晶體管工藝3GAE。根據官方說(shuō)法，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應管)，該技術(shù)可以顯著(zhù)增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。 此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)。 在2019年的日本SFF會(huì )議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。 三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由于在7nm、5nm節點(diǎn)上都要落后于臺積電，所以三星押注3nm節點(diǎn)，希望在這個(gè)節點(diǎn)上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠(chǎng)，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會(huì )在2021年就要量產(chǎn)。 至于臺積電，在3nm節點(diǎn)他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠(chǎng)，2020年會(huì )正式開(kāi)工，不過(guò)技術(shù)細節一直沒(méi)有透露，尤其是臺積電是否會(huì )像是三星那樣選擇GAA晶體是會(huì )繼續改進(jìn)FinFET晶體管，這兩種技術(shù)路線(xiàn)會(huì )影響未來(lái)很多高端芯片的選擇。 |
