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充電技術(shù)推動(dòng)小米投資納微（Navitas）半導體 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長(cháng)兼首席執行官雷軍先生在2月13日的小米在線(xiàn)新聞發(fā)布會(huì )上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進(jìn)行0至100％的充電。 
雷軍在直播發(fā)布會(huì )上表示：“GaN（氮化鎵）作為一種新半導體材料，給充電器，帶來(lái)了無(wú)法想象的效果。它特別小，充電效率特別高，比小米10 Pro標配的65W充電器再小了一半�！� 雷軍為推廣氮化鎵技術(shù)，鼓勵消費者和米粉們關(guān)注新時(shí)代充電技術(shù)變化。 據悉，小米早前就已投資納微(Navitas)半導體，為這次合作埋下伏筆。小米的投資策略是通過(guò)資金注入，確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，同時(shí)兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益。通過(guò)此次合作，納微(Navitas)半導體也得以拓寬銷(xiāo)售渠道。這正是小米扶持合作企業(yè)、推動(dòng)制造業(yè)升級、帶動(dòng)行業(yè)活力的證明，并最終發(fā)布了帶有GaNFast充電技術(shù)的小米Mi 10 PRO。 納微(Navitas)半導體首席執行官Gene SHERIDAN在會(huì )后表示：“非常高興看到小米對新材料，新技術(shù)所持的開(kāi)放態(tài)度。納微半導體自成立以來(lái)就專(zhuān)注于GaN材料的技術(shù)運用和創(chuàng )新，所開(kāi)發(fā)的GaNFast功率IC是FET，驅動(dòng)器和邏輯的單片集成，可實(shí)現極小的應用尺寸和高效率。對于希望走在前端、引領(lǐng)技術(shù)潮流的廠(chǎng)商，GaNFast技術(shù)會(huì )為他們的產(chǎn)品注入高性能和差異化！” 納微(Navitas)半導體中國區總經(jīng)理查瑩杰則表示：“目前智能手機，平板電腦和筆記本電腦的電池容量不斷增加，另一方面，消費者卻需要更快的充電體驗，而GaNFast技術(shù)具有小尺寸、輕量和高效的優(yōu)勢，因而極具吸引力。GaNFast技術(shù)為業(yè)界帶來(lái)小巧、高效的充電器，可以為手機和筆記本電腦等電子產(chǎn)品快速充電�！� 小米65W GaN充電器Type-C 65W的核心器件采用的是納微半導體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它們針對高頻、軟開(kāi)關(guān)拓撲進(jìn)行了優(yōu)化，通過(guò)FET、驅動(dòng)器和邏輯的單片集成，創(chuàng )建了非常小并且非�？斓囊子谑褂玫� “數字輸入，電源輸出” 高性能電源轉化模塊。使用GaNFast技術(shù)，小米65W GaN充電器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm（53 cc），是標準適配器尺寸的一半。 |
