|
自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術(shù)，可利用各種工業(yè)標準接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱(chēng)為JE-DDR4的JEDEC標準DDR4接口的變體，它包含了對完整系統支持所需的獨特功能。本文將幫助工程師了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設計指南 2.啟用ST-DDR4 為了使設計人員能夠快速集成ST-DDR4支持，該過(guò)程從Xilinx Vivado開(kāi)發(fā)環(huán)境中生成的現有8Gb DDR4 SDRAM-2666存儲器接口生成器（MIG）開(kāi)始。與8Gb DDR4 SDRAM的差異如下，并將在后續章節中進(jìn)行說(shuō)明： 1.時(shí)間安排（減少工作頻率，增加行訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間，增加計數器寬度并減小CAS頁(yè)面大�。� 2.加電（校準–校準期間啟用了防亂涂模式） 3.掉電（將所有相關(guān)數據塞入或移動(dòng)到持久性存儲器陣列中） 4.性能（增加管道深度并提高數據傳輸效率） 注意：健壯的ST-DDR4持久性存儲器設計還需要系統級的糾錯碼（ECC）方案，但該文檔不在本文范圍之內。 3. DDR4 SDRAM-1333內存接口 在Xilinx設計環(huán)境中，將根據代表8Gb SDRAM DDR4-2666的速度和時(shí)序特性的輸入參數生成DDR4接口邏輯。 該表顯示了DDR4和ST-DDR4的關(guān)鍵時(shí)序參數 由于MIG無(wú)法使用當前JEDEC標準以外的參數創(chuàng )建接口邏輯，因此必須首先創(chuàng )建兼容JEDEC的DDR4控制器。 everspin 1Gb ST-DDR4 1333器件最類(lèi)似于8Gb DDR4-2666 SDRAM器件，因此請使用8Gb DDR4 SDRAM 2666規格SDRAM DDR4-2666中的時(shí)序值,一旦創(chuàng )建了DDR4接口邏輯，就可以修改時(shí)序，上電，掉電和性能參數，以啟用ST-DDR4持久性存儲器。 強烈建議在創(chuàng )建MIG之后，在Vivado中創(chuàng )建一個(gè)示例測試臺，方法是右鍵單擊.xci文件并選擇名為“ Open IP Example Design ...”的菜單項。創(chuàng )建示例設計將創(chuàng )建一個(gè)新的Vivado項目。以及模擬新創(chuàng )建的MIG所需的所有測試文件。請參見(jiàn)Xilinx MIG創(chuàng )建教程，使用Vivado MIG為UltraScale設計存儲器接口和控制器，以及存儲器接口設計中心-UltraScale DDR4/DDR4存儲器。 |
| 自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術(shù)，可利用各種工業(yè)標準接口提供性能，持久性和耐用性。 |
| everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱(chēng)為JE-DDR4的JEDEC標準DDR4接口的變體，它包含了對完整系統支持所需的獨特功能。 |
| 強烈建議在創(chuàng )建MIG之后，在Vivado中創(chuàng )建一個(gè)示例測試臺，方法是右鍵單擊.xci文件并選擇名為“ Open IP Example Design ...”的菜單項。 |
