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Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍。此外，W系列具有更高的性能，如有功電流（active current）需求降低了25%至50%，串口器件的首次存取啟動(dòng)(上電初始化)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串口I2C與和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個(gè)并行通信接口。 Ramtron公司標準存儲器市場(chǎng)推廣經(jīng)理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM存儲器具有寬工作電壓范圍，可幫助系統設計人員降低有功電流，提高系統性能。系統能夠檢測早期功耗，控制器的數據寫(xiě)入電壓可降至2.7V，從而保護重要數據免受毀壞或丟失。W系列的寬工作電壓范圍帶來(lái)更高的靈活性，能夠最大限度地減少客戶(hù)所需的庫存元件數量�！� 關(guān)于W系列F-RAM存儲器 W系列 F-RAM存儲器為先前使用64K至256K F-RAM器件的客戶(hù)提供了一種設計替代方案，該系列產(chǎn)品基于先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝，具有無(wú)延遲 (NoDelay)寫(xiě)入、幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數 (100萬(wàn)億次-10e14)以及38年數據保存期等特性。這些新推器件采用業(yè)界標準“綠色”封裝，其中串口器件采用8腳SOIC封裝，并口器件采用28引腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入數據或實(shí)現低功耗工作的非易失性存儲器應用，應用范圍從高頻數據采集直到要求嚴苛的工業(yè)控制應用。而在這些應用中， EEPROM的寫(xiě)入周期很長(cháng)，可能造成數據丟失，因而并不適用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-RAM技術(shù)，能夠實(shí)現全速總線(xiàn)寫(xiě)入，確保在-40°C 至 +85°C的工業(yè)溫度范圍正常工作。 
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