FRAM艱難起步:Ramtron宣布IBM代工芯片樣品進(jìn)入送樣/客戶(hù)驗證階段

發(fā)布時(shí)間:2011-5-26 08:42    發(fā)布者:Liming
經(jīng)過(guò)長(cháng)時(shí)間的等待之后,鐵電體內存(FRAM)廠(chǎng)商Ramtron公司終于宣布其委托IBM代工的首批樣品驗證用FRAM芯片已經(jīng)制作測試完成,開(kāi)始進(jìn)入樣件送樣/客戶(hù)驗證階段。

資料:Ramtron的鐵電體產(chǎn)品存儲單元結構


2009年,Ramtron與IBM公司達成代工FRAM芯片的協(xié)議,按照雙方原來(lái)的計劃,準備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而,IBM公司在后來(lái)的研發(fā)制造過(guò)程中遇到許多問(wèn)題,無(wú)法成功提升這款產(chǎn)品的產(chǎn)量,導致了這項計劃的延遲。

上個(gè)月,Ramtron公司CEO Eric Balzer承認公司的FRAM客戶(hù)已經(jīng)對這次延遲感到不滿(mǎn),不過(guò)他表示這些客戶(hù)中的大多數并不會(huì )棄Ramtron而去,同時(shí)他還表示Ramtron本身今年一季度的銷(xiāo)售業(yè)績(jì)也因此而受損嚴重。

現在他們終于渡過(guò)了最困難的時(shí)期。本周三,Balzer在一份公司聲明中說(shuō):“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM芯片樣品對我們的新代工項目有里程碑式的意義。 ”

據Ramtron公司表示,FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM均屬同一系列產(chǎn)品,產(chǎn)品采用串行I2C接口,IO電壓5V,FRAM的位密度則分別為4kbit和16kbit?蔀電子設備提供高性能的非易失性數據存儲解決方案,公司還稱(chēng)其FRAM產(chǎn)品在寫(xiě)入時(shí)間,讀寫(xiě)周期耐久性和省電性能方面相比其它的產(chǎn)品更勝一籌。

Ramtron公司CEO  Balzer說(shuō):“這次送樣的預驗證用產(chǎn)品可以滿(mǎn)足我們制定的性能指標要求,并符合守我們嚴格質(zhì)量標準的要求,現在這批樣品已經(jīng)可以交付客戶(hù)做產(chǎn)品驗證用途。更多的FRAM產(chǎn)品,如3V電壓,I2C接口的產(chǎn)品以及5V電壓,SPI接口的產(chǎn)品則很快會(huì )在我們完成內部測試之后對外交付驗證用樣品!盉alzer是在今年一月份頂替辭職的前任Bill Staunton出任公司CEO的。

FM24C04C和FM24C16C采用的是串行I2C總線(xiàn)接口界面,工作電流100uA(在100kHz總線(xiàn)工作頻率下),總線(xiàn)接口運行頻率最高可達1MHz。這兩款產(chǎn)品將直接替代公司現有的4kbit/16kbit密度串行接口EEPROM存儲芯片,被應用到工控,測量設備,醫療,軍用,計算機,游戲機等應用場(chǎng)合。

FM24C04C和FM24C16C采用標準的8針SOIC封裝形式,工作溫度-40°C至+85°C,另外,Ramtron公司還宣稱(chēng)FM24CxxC系列產(chǎn)品的單字節寫(xiě)入時(shí)間可比EEPPROM產(chǎn)品快200倍左右。

2009年IBM與Ramtron達成代工協(xié)議后,IBM在其位于Burlington的芯片廠(chǎng)中采用Ramtron開(kāi)發(fā)的制程技術(shù)為其代工FRAM產(chǎn)品。除了IBM之外,Ramtron還與德州儀器,日本富士通兩家公司也簽署了代工FRAM的合約,不過(guò)后來(lái)日本富士通由于種種原因已經(jīng)被Ramtron開(kāi)除出列。
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