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FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫(xiě)耐久性高、寫(xiě)入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫(xiě)入壽命超過(guò)10萬(wàn)億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內運行。 在快速頁(yè)面模式下，FRAM能夠運行到25ns，在連續數據傳輸時(shí)，其訪(fǎng)問(wèn)速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實(shí)現了更高的運行速度，而且降低了功耗。該FRAM的最大寫(xiě)入電流為18mA，比目前的產(chǎn)品低10%，最大待機電流為150μA，低50%。 在某些情況下可以省去SRAM所需的數據備份電池。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產(chǎn)生的以下問(wèn)題： 問(wèn)題：更改接口設計和PCB設計的額外工作 解決方案：使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM 問(wèn)題：難以用寫(xiě)入速度非常慢的非易失性存儲器替代 解決方案：使用具有快速寫(xiě)入操作的FRAM，頁(yè)面模式下最大25ns 問(wèn)題：寫(xiě)入壽命高達10萬(wàn)億次導致設計限制 解決方案：使用寫(xiě)入壽命高達100萬(wàn)億次的FRAM |
