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鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數據，并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性，更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口FRAM與SRAM的比較。 并口FRAM vs SRAM 具有并行接口的FRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。通過(guò)用FRAM代替SRAM，客戶(hù)可以期望以下優(yōu)勢。 1、降低總成本 使用SRAM的系統需要持續檢查電池狀態(tài)。如果用FRAM替換后，客戶(hù)可以從維護電池檢查的負擔中解放出來(lái)。此外，FRAM不需要電池插座和防回流二極管，同時(shí)省去二者的安裝空間。FRAM的單一芯片解決方案可以減少空間和成本。 免維護：無(wú)需更換電池 設備小型化：可以減少最終產(chǎn)品的元器件數量 2、環(huán)保產(chǎn)品 廢舊電池會(huì )成為工業(yè)廢料。通過(guò)用FRAM替換SRAM +電池，可以減少備用電池。 減少電池處理 |
