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鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫(xiě)入速度、低功耗和高讀/寫(xiě)周期耐久性。也稱(chēng)為FeRAM。FRAM鐵電存儲器是一款非易失性存儲器產(chǎn)品，與傳統的非易失性存儲器相比，具有寫(xiě)入速度快、讀/寫(xiě)耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，其密度堪稱(chēng)Fujitsu SPI接口FRAM產(chǎn)品系列之最。 富士通MB85RQ8MLX是一款容量為8Mbit的非易失性鐵電存儲器，該產(chǎn)品可在1.7V至1.95V的低電源電壓下工作。這種新的Quad SPI接口FRAM通過(guò)四個(gè)I/O引腳和108MHz的工作頻率實(shí)現了54MB/s的數據讀取/寫(xiě)入速度。它比運行在50MHz的其他SPI接口FRAM產(chǎn)品快8倍以上，后者以6.25MB/s的速度傳輸數據。 這款新產(chǎn)品在高達105℃的高溫環(huán)境中以最高108MHz的工作頻率實(shí)現了每秒54MB的快速數據傳輸速率，同時(shí)具有高速運行和非易失性，非常適合高性能計算(HPC)、數據中心和工業(yè)計算，如可編程邏輯控制器(PLC)、人機界面(HMI)和RAID控制器。 MB85RQ8MLX將工作溫度范圍的上限從一般產(chǎn)品的85℃擴展到了105℃，在工業(yè)計算中，由于高速數據處理導致計算單元中的環(huán)境溫度升高，因此需要保證電子元件在高溫環(huán)境中運行。MB85RQ8MLX滿(mǎn)足了工業(yè)使用中的關(guān)鍵要求。 鐵電存儲器FRAMMB85RQ8MLX不需要任何數據備份電池，并為使用低功耗SRAM作為緩沖器的客戶(hù)帶來(lái)無(wú)需電池的計算成本優(yōu)勢。 富士通半導體存儲器解決方案專(zhuān)注于高品質(zhì)和高可靠性的非易失性存儲器，如鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 和電阻式隨機存取存儲器 (ReRAM)。這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲器。即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留存儲的數據，并且可以隨機訪(fǎng)問(wèn)。FRAM具有獨特的功能，包括更高的寫(xiě)入速度、更大的讀/寫(xiě)循環(huán)耐久性和更低的功耗。FRAM用于廣泛的應用，例如IC卡、RFID標簽. |
