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FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫(xiě)耐久性高、寫(xiě)入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬(wàn)億讀/寫(xiě)周期的產(chǎn)品。 與富士通的傳統產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品實(shí)現了高速運行、約30%的訪(fǎng)問(wèn)速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運行的工業(yè)機器中SRAM的理想替代品。 圖1：MB85R8M2TA封裝 富士通自2018年6月開(kāi)始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣該產(chǎn)品的同時(shí)，聽(tīng)到了客戶(hù)的聲音，例如保證寫(xiě)入壽命超過(guò)10萬(wàn)億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。富士通推出滿(mǎn)足這些要求的新8Mbit FRAM產(chǎn)品，保持FRAM的低功耗的獨特特性。非常適合工業(yè)機器，同時(shí)實(shí)現高速運行和低功耗。 MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內運行。它是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬(wàn)億讀/寫(xiě)循環(huán)時(shí)間的產(chǎn)品。 能夠在快速頁(yè)面模式下運行高達25ns，新的FRAM在連續數據傳輸時(shí)的訪(fǎng)問(wèn)速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實(shí)現了更高的運行速度，而且實(shí)現了更低的功耗。該FRAM最大寫(xiě)入電流18mA，比目前產(chǎn)品小10%，最大待機電流150μA，小50%。采用44引腳TSOP封裝，同封裝作為富士通的4MbitFRAM以及48引腳FBGA封裝。 富士通半導體存儲器解決方案致力于在開(kāi)發(fā)高性能產(chǎn)品的同時(shí)為可持續社會(huì )做出貢獻。例如，該公司繼續致力于低功耗FRAM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。隨著(zhù)功率消耗的減少，它的目的是減少CO2排放量更少的溫室氣體。富士通將繼續滿(mǎn)足市場(chǎng)和客戶(hù)的需求和要求，并開(kāi)發(fā)環(huán)保型內存產(chǎn)品。 |
