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鐵電存儲器稱(chēng)FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現信息存儲。 FRAM結構圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電后數據不會(huì )丟失，是非易失性存儲器； 讀寫(xiě)速度快：無(wú)延時(shí)寫(xiě)入數據，可覆蓋寫(xiě)入； 壽命長(cháng)：可重復讀寫(xiě)，重復次數可達到萬(wàn)億次，耐久性強，使用壽命長(cháng)； 功耗低：待機電流低，無(wú)需后備電池，無(wú)需采用充電泵電路； 可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。 FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類(lèi)型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 |
