半導體與芯片器件研究測試方案精選

agitek安泰測試

半導體產(chǎn)業(yè)概述

中國大陸是2019年全球唯一半導體材料增長(cháng)市場(chǎng)。近年來(lái)全球半導體材料銷(xiāo)售額達到 519 億美元，大陸地區銷(xiāo)售額銷(xiāo)售額達 84億美元，其中國產(chǎn)材料占比僅為 20%，在全球硅晶圓制造產(chǎn)業(yè)向大陸轉移的歷史浪潮之下，半導體材料進(jìn)口替代將成為必然趨勢，國內半導體材料研究未來(lái)成長(cháng)空間巨大。

2018 年全球半導體材料銷(xiāo)售額及區域占比情況（單位：億美元，%）

半導體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉移，中國正成為主要承接地，2020 年業(yè)界普遍認為 5G 會(huì )實(shí)現大規模商用，熱點(diǎn)技術(shù)與應用推動(dòng)下，國內半導體材料需求有望進(jìn)一步增長(cháng)。

寬禁帶半導體材料測試

1、 典型應用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征

2、 典型應用二. 功率場(chǎng)效應管MOSFET 特性表征

3 、典型應用三. IGBT 特性表征

4 、典型應用四. 超低頻電容電壓CV曲線(xiàn)

測試設備：2600-PCT及部分高低壓配置（四探針測試法）

石墨烯材料測試

1、四線(xiàn)法及霍爾效應測試均是加流測壓的過(guò)程,需要設備能輸出電流并且測試電壓

2、電阻率及電子移率通常范圍較,需要電流電壓范圍都很大的設備

3、電流源和電壓表精度要高,保證測試的準確性

測試設備： Series 2600B SMU

光電器件LIV特性分析測試

1、 激光二極管的電學(xué)參數測試-LIV曲線(xiàn)

2、 正向電壓VF，光功率L，門(mén)限電流I TH測試

3 、拐點(diǎn)測試和線(xiàn)性度測試，結點(diǎn)自熱效應測試

4 、背光二極管電流，光電二極管暗電流，熱敏電阻測試

測試設備： DMM7510，Series 2600B SMU

太陽(yáng)能電池測試

在有機太陽(yáng)能電池的表征與測試技術(shù)中，I-V測試是最基本、最重要、最直接的測試方式。I-V測試系統，能夠得到器件以下參數：能量轉化效率、填充因子、短路電流和開(kāi)路電壓，而這四個(gè)參數正是衡量電池性能好壞的最直接的標準。

測試設備： Series 2600B SMU

功率器件IGBT測試

1.全面的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)測試方案

靜態(tài)參數標準測試項目

擊穿電壓;閾值電壓;開(kāi)態(tài)電流;漏電流；正向跨導;輸入電容;輸出電容;反向傳輸電容等。

動(dòng)態(tài)參數標準測試項目

開(kāi)通時(shí)間;關(guān)斷時(shí)間;關(guān)斷延遲時(shí)間;下隆時(shí)間,單脈沖開(kāi)通能量;單脈沖關(guān)斷能量

測試設備：2600-PCT及部分高低壓配置；函數發(fā)生器+示波器MSO5/6+探頭配套電源測試板

半浮柵器件研發(fā)測試

同時(shí)提供高性能半導體參數及多通道高速脈沖測試

測試設備：測試儀器: 4200-SCS+4200-SU+4225-PMU,半導體參數測試儀,完成晶體管參數及通用存儲讀寫(xiě)性能測試。AWG5208八通道任意波發(fā)生器；高帶寬示波器共同完成高速脈沖讀寫(xiě)測 MSO73304 脈沖,與任意波發(fā)生器共同完成高速脈沖讀寫(xiě)測試

微機電MEMS測試

MEMS測試難點(diǎn)

1、pA量級的泄露電流是MEMS的必測項目。需要帶前置放大器的高精度的源表設備。

2、電容式微傳感器pF量級的電容是MEMS的必測項。這個(gè)電容值很小,測試設備所能施加的交流頻率和電容測量的精度是需要考慮的因素

3、電阻式微傳感器具有范圍較大的電阻分布是MEMS的必測項。因此測試設備的電壓電流動(dòng)態(tài)范圍也必須足夠大

4、 MEMS工藝監控也是重要內容。比如載流子濃度，載流子遷移率監測

測試設備：

總結

隨著(zhù)器件設計難度加大，高精度高可靠性測試設備越來(lái)越被前沿研究所依賴(lài)。半導體器件測試設備在半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中起到非常關(guān)鍵的角色，科學(xué)的設計需要實(shí)際的測量來(lái)驗證，沒(méi)有測量就沒(méi)有科學(xué)，這對半導體日益縮小的尺寸和規模的不斷增大所用到的測試設備提出更高的要求。