Silanna Semiconductor今天宣布擴展有源鉗位反激控制器（ACF）產(chǎn)品系列。 Silanna Semiconductor致力于通過(guò)提供一流的功率密度和效率來(lái)應對電源管理的終極挑戰，并能夠前所未有地為客戶(hù)節省BoM成本，滿(mǎn)足客戶(hù)的多種需求。在2019年APEC上，Silanna Semiconductor首次發(fā)布有源鉗位反激式控制器，目前已經(jīng)滿(mǎn)足了客戶(hù)的需求，并達到了預期的市場(chǎng)滲透率，現已經(jīng)在集成式ACF市場(chǎng)中占據主導地位。
SZ1110和SZ1130器件是有源鉗位反激PWM控制器，集成了自適應數字PWM控制器和其他超高壓（UHV）組件，包括有源鉗位MOSFET、有源鉗位MOSFET驅動(dòng)器和高壓?jiǎn)?dòng)單元。這種前所未有的高集成水平有助于設計出更高效、更高功率密度的電源適配器，同時(shí)具有更低的BoM成本，能夠滿(mǎn)足非常耗電的手機、平板電腦、筆記本電腦和視頻游戲機等需求。 客戶(hù)通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)演示頁(yè)面（https://www.powerdensity.com/sz1110-sz1130 ），可以看到ACF控制器的演示，針對65W AC/DC電源適配器的全部設計，可以實(shí)現94%的效率和27 W/in3的功率密度。展示頁(yè)還包含廣泛的DC/DC和AC/DC產(chǎn)品。 Silanna Semiconductor首席執行官Mark Drucker表示：“不到一年前，我們推出了全球首款有源鉗位反激控制器SZ1101，從客戶(hù)和行業(yè)得到了令人難以置信的響應。本次產(chǎn)品系列向更高功率和更小封裝尺寸的擴展進(jìn)一步證明了我們核心功率密度的領(lǐng)導地位。Silanna Semiconductor能夠提供具有最高功率密度和更高效率的AC/DC解決方案，同時(shí)也具備最高的價(jià)值和更低的BoM成本�！� 這些器件可以提供反激控制器的簡(jiǎn)化設計，并具有ACF設計的所有優(yōu)勢，包括可以充分利用反激變壓器的漏感能量，并在關(guān)斷時(shí)限制主MOSFET漏極的電壓尖峰。SZ1110和SZ1130采用了Silanna Semiconductor的 OptiModeTM數字控制架構，可逐周期地調整器件的工作模式，并根據輸入電壓和負載來(lái)變化，以維持高效率、低電磁干擾（EMI）、快速動(dòng)態(tài)負載調節和其他關(guān)鍵電源參數。 Silanna Semiconductor 市場(chǎng)總監Ahsan Zaman 介紹：“與傳統的ACF設計不同，在大批量生產(chǎn)中，不需要鉗位電容和變壓器漏感的嚴格公差。SZ1110和SZ1130非常適合于高效率和高功率密度AC/DC電源適配器。這些器件設計用于輸出功率高達33W（SZ1110）和65W（SZ1130）的電源適配器，包括USB-PD和快速充電（Quick Charge）等應用�！� 基于SZ1110和SZ1130實(shí)現的AC/DC電源能夠輕松滿(mǎn)足嚴格的美國DoE和歐盟CoC能效，以及空載待機功率等要求。 主要特性： • 集成式UHV有源鉗位MOSFET、有源鉗位驅動(dòng)器和高壓?jiǎn)?dòng)單元 • 超過(guò)94％的效率 • 在通用（90～265 Vac）輸入電壓和負載范圍內相對一致的效率 • 高達146 kHz的開(kāi)關(guān)頻率 • OptiMode™逐周期自適應數字控制 • 自調整谷底導通模式（VMS） • 多模式操作（突發(fā)模式（Burst Mode），準諧振模式（QR），谷底導通模式（VMS）） • 大于6dB的 EMI余量 • 過(guò)溫保護（OTP），過(guò)壓保護（OVP），過(guò)流保護（OCP），過(guò)功率保護（OPP）和輸出短路保護 • 低于50mW的空載功耗 • 高達65W的輸出功率 • 16引腳SOIC封裝 應用領(lǐng)域 • 高功率密度AC/DC電源 • 高效電源適配器 • USB-PD/QC AC/DC電源適配器 • 移動(dòng)設備電池充電器 供貨和價(jià)格 產(chǎn)品定價(jià)、樣片信息和現場(chǎng)演示請通過(guò)下述網(wǎng)址查詢(xún)：https://www.powerdensity.com。 |
