兆易創(chuàng )新宣布與Rambus簽訂專(zhuān)利授權協(xié)議

發(fā)布時(shí)間:2020-5-12 11:07    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 兆易創(chuàng )新 , GigaDevice , Rambus , RRAM
兆易創(chuàng )新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,與領(lǐng)先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術(shù)簽署專(zhuān)利授權協(xié)議。同時(shí),兆易創(chuàng )新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥?莆ⅲ≧eliance Memory)簽署了授權協(xié)議 。根據協(xié)議內容,兆易創(chuàng )新從Rambus和?莆@得180多項RRAM技術(shù)相關(guān)專(zhuān)利和應用,這將有助于兆易創(chuàng )新在新型存儲器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局,從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式,能夠在改變電壓的前提下,通過(guò)改變電介質(zhì)的電阻進(jìn)行存儲。 RRAM擁有獨特物理與器件特性,可在工藝后端線(xiàn)(BEOL) 以列陣結構制造,其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產(chǎn)品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗,非常適合物聯(lián)網(wǎng)應用; 此外,根據學(xué)術(shù)界與行業(yè)發(fā)表的相關(guān)文獻,在平衡性能、可靠性及成本的方面,RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內存(SCM)。                                                                                      

兆易創(chuàng )新是一家扎根中國,服務(wù)全球的國際化公司,兆易創(chuàng )新一直密切關(guān)注存儲領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng )新,積極進(jìn)行戰略布局,開(kāi)拓具有差異化的細分市場(chǎng)。早在2018年5月,兆易創(chuàng )新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創(chuàng )辦了以RRAM技術(shù)為核心業(yè)務(wù)的合資公司合肥?莆。

兆易創(chuàng )新董事長(cháng)朱一明先生表示:“兆易創(chuàng )新一直以創(chuàng )新為己任,多年來(lái)致力新技術(shù)革新,強化產(chǎn)品競爭力,重視核心專(zhuān)利, 此次獲得Rambus和?莆⑨槍RAM技術(shù)的授權,有助于我們?yōu)榭蛻?hù)提供更具創(chuàng )新特色的存儲解決方案!

Rambus技術(shù)合作和企業(yè)發(fā)展高級副總裁Kit Rodgers表示:“兆易創(chuàng )新在全球閃存領(lǐng)域已取得顯著(zhù)的成績(jì),我們很高興能夠將RRAM專(zhuān)利方案授權給兆易創(chuàng )新,此次授權能夠幫助其在存儲器領(lǐng)域開(kāi)發(fā)創(chuàng )新型的解決方案,并加速其商用的進(jìn)程!


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傲琪電子 發(fā)表于 2020-5-14 11:11:11
謝謝分享,受教了
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