聯(lián)電積極投入GaN制程開(kāi)發(fā)

發(fā)布時(shí)間:2020-5-27 10:34    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 , 氮化鎵 , GaN
晶圓代工廠(chǎng)近來(lái)積極布局第三代半導體材料氮化鎵(GaN),除龍頭廠(chǎng)臺積電已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化鎵)晶圓代工服務(wù)外,世界先進(jìn)GaN制程也預計年底送樣,聯(lián)電同樣積極投入GaN制程開(kāi)發(fā),攜手子公司聯(lián)穎布局高效能電源功率元件市場(chǎng)。

聯(lián)電表示,GaN制程開(kāi)發(fā)是現有研發(fā)計劃中的重點(diǎn)項目之一,目前與轉投資公司砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)穎合作,仍處于研發(fā)階段,初期將以6英寸晶圓代工服務(wù)為目標,未來(lái)也會(huì )考慮邁向8英寸代工。

聯(lián)穎是聯(lián)電持股81.58%子公司,為其新投資事業(yè)群的一員,提供6英寸砷化鎵晶圓代工服務(wù),終端產(chǎn)品應用領(lǐng)域包括手機無(wú)線(xiàn)通訊、微波無(wú)線(xiàn)大型基地站、無(wú)線(xiàn)微型基地臺、物聯(lián)網(wǎng)、國防航太、光纖通信、光學(xué)雷達,及3D感測元件等。目前營(yíng)運持續虧損,去年虧損新臺幣2.79億元,今年首季則虧損新臺幣861萬(wàn)元。

目前包括臺積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠(chǎng)漢磊科,6英寸GaN-on-Si晶圓代工制程均已量產(chǎn);臺積電今年2月也宣布結盟意法半導體,意法將采用臺積電的GaN制程技術(shù),生產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品,加速先進(jìn)功率氮化鎵解決方案開(kāi)發(fā)與上市,攜手搶攻電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)商機。

世界先進(jìn)在GaN材料上已投資研發(fā)4年多,與設備材料廠(chǎng)Kyma、及轉投資GaN矽基板廠(chǎng)Qromis攜手合作,著(zhù)眼開(kāi)發(fā)可做到8英寸的新基底高功率氮化鎵技術(shù)GaN-on-QST,今年底前將送樣客戶(hù)做產(chǎn)品驗證,初期主要瞄準電源相關(guān)應用。

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