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Everspin MR10Q010該存儲器1Mb串行MRAM具有四個(gè)串行I/O路徑，旨在提高讀/寫(xiě)速度并減少時(shí)鐘周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括讀寫(xiě)操作，其中在所有四個(gè)I/O上輸入地址和數據以減少時(shí)鐘周期。Everspin代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及應用解決方案。 Everspin MR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3v Vdd電源，并設計為可在1.8v總線(xiàn)I/O上運行�？梢酝ㄟ^(guò)電平轉換器將MR10Q010連接到總線(xiàn)，從而使MR10Q010適應在3.3v數據總線(xiàn)上運行。線(xiàn)性穩壓器可用于提供MR10Q010所需的1.8v電源。 用于MR10Q010 Quad SPI MRAM的I/O適配器板 MR10Q010評估板使用德州儀器（TI）的TXB0108雙向電平轉換器和TPS73018低壓降穩壓器。該板的設計使其可以連接到當前由SPI或Quad SPI EEPROM占用的板位置或插座，并可以在現有系統中運行。所有MRAM和EEPROM引腳的測試點(diǎn)都位于板上。 用于評估在3.3vI/O數據總線(xiàn)系統中運行的MR10Q010。 8引腳DIP站點(diǎn)，允許安裝為子板以代替現有的8引腳SPI或Quad SPI EEPROM。 MR10Q010從板載穩壓器獲得1.8v電源。 所有MR10Q010和E2PROM引腳均可通過(guò)0.1英寸間距的通孔連接點(diǎn)進(jìn)行評估。 可能隨MR10Q010的ZIF插座一起提供，或者板上裝有MRAM。 Everspin Quad Serial MRAM 
MR10Q010.pdf
(2.81 MB)
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| Everspin MR10Q010該存儲器1Mb串行MRAM具有四個(gè)串行I/O路徑，旨在提高讀/寫(xiě)速度并減少時(shí)鐘周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括讀寫(xiě)操作，其中在所有四個(gè)I/O上輸入地址和數據以減少時(shí)鐘周期。Everspin代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及應用解決方案。 |
| Everspin MR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3v Vdd電源，并設計為可在1.8v總線(xiàn)I/O上運行�？梢酝ㄟ^(guò)電平轉換器將MR10Q010連接到總線(xiàn)，從而使MR10Q010適應在3.3v數據總線(xiàn)上運行。線(xiàn)性穩壓器可用于提供MR10Q010所需的1.8v電源 |
