MR10Q010-1Mb四路輸出高速串行SPI MRAM

發(fā)布時(shí)間:2020-8-6 16:19    發(fā)布者:宇芯電子
1Mb串行MRAM具有四個(gè)串行I/O路徑,旨在提高讀/寫(xiě)速度并減少時(shí)鐘周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高達104MHz的時(shí)鐘速度和52MB/s的讀/寫(xiě)帶寬。MRAM專(zhuān)為需要對數據進(jìn)行高頻寫(xiě)入的應用而設計,可提供與并行I/O MRAM相當的讀取/寫(xiě)入帶寬。它還允許就地執行(XIP)操作。Everspin代理商宇芯電子可提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。

Everspin MRAM這款高性能設備可以以104MHz的速度讀取和寫(xiě)入數據,而不會(huì )在其他非易失性技術(shù)(例如NOR Flash)中遇到寫(xiě)入延遲。結合無(wú)限的寫(xiě)周期耐久性,MR10Q010非常適合需要連續記錄關(guān)鍵系統數據的應用,并具有在意外斷電的情況下保護數據的額外好處,而無(wú)需使用電池或電容器。諸如企業(yè)RAID控制器之類(lèi)的應用程序可以利用這些功能,通過(guò)將MR10Q010用作記錄不斷更新的系統元數據的日志存儲器,來(lái)增強關(guān)鍵任務(wù)數據存儲系統的可靠性。


此外該存儲器具有用于Quad SPI操作的完整命令集,包括讀寫(xiě)操作,其中在所有四個(gè)I/O上輸入地址和數據以減少時(shí)鐘周期。該器件采用16引腳SOIC封裝,可通過(guò)并行接口節省20引腳,并支持低電壓電平,并具有用于I/O的單獨VDDQ。

其他功能包括:
•數據保留超過(guò)20年
•自動(dòng)斷電數據保護
•無(wú)限的寫(xiě)續航力
•7.5mmx10.3mm機身尺寸
•引腳與NOR Flash Quad SPI產(chǎn)品兼容

MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存儲解決方案,適用于必須使用少量引腳,低功耗和節省空間的16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數據和程序的應用。Quad SPI模式下的四個(gè)I / O允許每秒52MB的非?斓淖x寫(xiě)速度,使其比8位并口mram更快。這對于下一代RAID控制器,服務(wù)器系統日志,存儲設備緩沖區以及嵌入式系統數據和程序存儲器非常有用。

MR10Q010.pdf (2.61 MB)

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宇芯電子 發(fā)表于 2020-8-6 16:20:07
Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高達104MHz的時(shí)鐘速度和52MB/s的讀/寫(xiě)帶寬。MRAM專(zhuān)為需要對數據進(jìn)行高頻寫(xiě)入的應用而設計,可提供與并行I/O MRAM相當的讀取/寫(xiě)入帶寬。它還允許就地執行(XIP)操作。Everspin代理商宇芯電子可提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
宇芯電子 發(fā)表于 2020-8-6 16:20:44
MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存儲解決方案,適用于必須使用少量引腳,低功耗和節省空間的16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數據和程序的應用。Quad SPI模式下的四個(gè)I / O允許每秒52MB的非?斓淖x寫(xiě)速度,使其比8位并口mram更快。
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