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盡管具有規模經(jīng)濟性，但其他類(lèi)型的存儲器仍具有AI應用程序的未來(lái)可能性。 MRAM通過(guò)受外加電壓控制的磁體的方向存儲數據的每一位。如果電壓低于翻轉位所需的電壓，則只有位翻轉的可能性。這種隨機性是不希望有的，因此可以用更高的電壓驅動(dòng)MRAM來(lái)防止這種情況。某些AI應用程序仍可以利用這種固有的隨機性（可以將其視為隨機選擇或生成數據的過(guò)程）。 實(shí)驗已將其MRAM的隨機性功能應用于Gyrfalcon的設備，該技術(shù)可將所有權重和激活的精度降低到1位。這用于大大減少遠端應用程序的計算和功耗要求�？赡苄枰M(jìn)行精確的取舍，具體取決于重新培訓網(wǎng)絡(luò )的方式。盡管降低了精度，但仍可以使神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )可靠地運行。 二元神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )的獨特之處在于，即使減少了-1或+1的確定性，它們也可以可靠地起作用。 這種BNN仍然可以以較高的精度運行，因為（通過(guò)）引入被錯誤寫(xiě)入的存儲位的所謂的”誤碼率”降低了確定性。 MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時(shí)進(jìn)一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時(shí)間的最佳精度。這轉化為最高的能源效率。 盡管此技術(shù)還適用于更高精度的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )，但它特別適用于BNN，因為MRAM單元具有兩個(gè)狀態(tài)，這些狀態(tài)與BNN中的二進(jìn)制狀態(tài)相匹配。 在邊緣使用MRAM是另一個(gè)潛在的應用。 對于邊緣AI，MRAM能夠在不要求高性能精度的應用中以較低的電壓運行，但是提高能效和存儲器耐用性非常重要，此外MRAM固有的非易失性允許無(wú)需電源即可保存數據。 一種應用是所謂的“統一存儲器”，“這種新興存儲器既可以充當嵌入式閃存又可以替代sram，既節省了芯片面積，又避免了SRAM固有的靜態(tài)功耗。 Everspin MRAM型號表
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