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Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒，主要是設計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進(jìn)技術(shù)，在節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。 那Everspin MRAM內存技術(shù)是如何工作的？Everspin代理下面將解析關(guān)于MRAM內存技術(shù)工作原理。 Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個(gè)存儲元件都將一個(gè)磁性隧道結（MTJ）器件用于存儲單元。 磁性隧道結存儲元件 磁性隧道結（MTJ）存儲元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時(shí)，被磁性層自旋極化的電子將通過(guò)稱(chēng)為隧穿的過(guò)程穿過(guò)介質(zhì)阻擋層。 當自由層的磁矩平行于固定層時(shí)，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時(shí)，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設備磁性狀態(tài)的變化是一種被稱(chēng)為磁阻的效應，因此被稱(chēng)為“磁阻” RAM。 Everspin MRAM技術(shù)可靠 與大多數其他半導體存儲技術(shù)不同，數據存儲為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過(guò)測量電阻來(lái)感測而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲有兩個(gè)主要好處。首先，磁極化不會(huì )像電荷一樣隨時(shí)間流逝而消失，因此即使關(guān)閉電源，信息也會(huì )被存儲。其次，在兩種狀態(tài)之間切換磁極化不涉及電子或原子的實(shí)際運動(dòng)，因此不存在已知的磨損機制。 Everspin MRAM特點(diǎn) •消除備用電池和電容器 •非易失性工作存儲器 •實(shí)時(shí)數據收集和備份 •AEC-Q100合格選件 •停電時(shí)保留數據 •延長(cháng)系統壽命和可靠性 |
