|
經(jīng)常有人將MRAM稱(chēng)作是非易失性存儲器(NVRAM)未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項非易失性存儲器技術(shù)，MRAM存儲芯片是可以在掉電時(shí)保留數據并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒(méi)有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速緩沖器﹑配置內存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商業(yè)應用。 Everspin半導體在磁存儲器設計和制造及交付給相關(guān)應用方面的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無(wú)二的。包括40nm和28nm及更高工藝在內的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM芯片生產(chǎn)。Everspin半導體在此生產(chǎn)基于180nm和130nm及90nm工藝技術(shù)節點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。Everspin半導體擁有600多項有效專(zhuān)利和申請的知識產(chǎn)權，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面均處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。 作為一家將MRAM存儲芯片技術(shù)商業(yè)化的公司，Everspin通過(guò)不斷推出經(jīng)濟高效而且可靠的非易失性存儲器來(lái)長(cháng)期引導市場(chǎng)發(fā)展，例如Everspin MRAM MR2A16A 4Mb產(chǎn)品是一款商業(yè)Everspin MRAM器件，工作于商用級溫度范圍(o℃～+70℃)。 Everspin一款3V 4Mb的擴展溫度范圍為-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)產(chǎn)品 MR2A16AV,從而擴展了其MRAM的產(chǎn)品系列。Everspin提供了新的擴展溫度范圍選擇，使MRAM存儲芯片可用于惡劣的應用環(huán)境，如工業(yè)、航空和和汽車(chē)應用設計等。在這類(lèi)應用中,半導體存儲芯片產(chǎn)品必須能夠忍受惡劣的工作環(huán)境和極端的溫度范圍。 Everspin一種1Mb器件MR0A16A,擴展了商用MRAM產(chǎn)品系列。該存儲器件可為系統設計師提供另一種密度選擇，它針對的是主流嵌入式產(chǎn)品市場(chǎng)上的“最佳點(diǎn)(sweet spot)”。Everspin還計劃進(jìn)一步擴展其MRAM產(chǎn)品系列。 |
| 經(jīng)常有人將MRAM稱(chēng)作是非易失性存儲器(NVRAM)未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項非易失性存儲器技術(shù)，MRAM存儲芯片是可以在掉電時(shí)保留數據并且不需要定期刷新。 |
| MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒(méi)有限制的。 |
| Everspin一款3V 4Mb的擴展溫度范圍為-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)產(chǎn)品 MR2A16AV,從而擴展了其MRAM的產(chǎn)品系列。Everspin提供了新的擴展溫度范圍選擇，使MRAM存儲芯片可用于惡劣的應用環(huán)境，如工業(yè)、航空和和汽車(chē)應用設計等。在這類(lèi)應用中,半導體存儲芯片產(chǎn)品必須能夠忍受惡劣的工作環(huán)境和極端的溫度范圍。 |
