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Everspin器件是一個(gè)40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標稱(chēng)Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換SPI-FRAM之前，有幾個(gè)參數需要進(jìn)行一些系統級分析，包括輸出負載，啟動(dòng)時(shí)間以及加電和斷電斜坡。Everspin代理宇芯電子為廣大用戶(hù)提供關(guān)于產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案等。 比較的可靠性考慮 CY15B104QN FRAM架構采用鐵電材料作為存儲設備。這些材料的固有電偶極子在外部電場(chǎng)的作用下轉換為相反的極性。FRAM中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初始讀取之后，讀取操作必須將極化恢復到其原始狀態(tài)，這會(huì )增加讀取操作的周期時(shí)間。FRAM的讀和寫(xiě)周期需要一個(gè)初始的“預充電”時(shí)間，這可能會(huì )增加初始訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間。超過(guò)85°C的環(huán)境工作溫度會(huì )加速FRAM的磨損，因為會(huì )積聚自由電荷，從而導致烙印。 Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2xH40xDF MRAM使用更簡(jiǎn)單的1晶體管1磁性隧道結單元構建。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元可提高制造效率并提高可靠性。MRAM使用磁性隧道結技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲。在高溫下，數據不會(huì )泄漏出去，并且沒(méi)有磨損機制可以限制該技術(shù)中的讀取，寫(xiě)入或電源循環(huán)次數。觸發(fā)MRAM可靠性的另一個(gè)重要方面是針對熱感應磁化翻轉產(chǎn)生的錯誤保留數據。進(jìn)行了加速烘烤測試，其中在烘烤之前將棋盤(pán)格圖案寫(xiě)入零件，然后再讀取數據。在150°C下的2000h至260°C下的2h的條件下烘烤了三批中的1500個(gè)代表性4-Mb零件，并且所有零件的數據保留翻轉均為零。外推回工作溫度表明數據保留壽命超過(guò)20年。由于磁性材料固有的堅固耐用性，MRAM還具有抗輻射性能.4-Mb模具的α粒子和中子輻照顯示錯誤率小于0.5FIT/Mb。 MRAM磁公差 Everspin Technologies的SPI MRAM在磁場(chǎng)環(huán)境中操作時(shí)，對數據損壞的敏感性較低，因此可幫助工程師設計高抗磁性能的可靠系統。在寫(xiě)，讀和待機操作期間，可施加到SPI MRAM的最大外部磁場(chǎng)為12000A/m（150高斯）。Everspin Technologies提供有關(guān)在這種情況下如何操作MRAM的特定指南。 |
