|
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數據，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數據存儲以及幾乎不需要現場(chǎng)維護的場(chǎng)合。 因此將比較它需要多長(cháng)時(shí)間來(lái)擦除64Kb數據及寫(xiě)入新數據。最后必須知道制造商提到功耗時(shí)并不是使用一致的標準。某些設備可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其資料表提供的卻是Vcc=2.5V。此處所用的數值是資料表中規定的最差情況數值。 串行數據閃存擦除頁(yè)/扇區時(shí)，需要耗用大量的能量，因為這些操作耗時(shí)較長(cháng)。EEPROM與閃存使用輪詢(xún)(polling)技術(shù)而不是等待一段最差情況所需的時(shí)間來(lái)完成操作，從而減少了兩者的能量要求。資料表沒(méi)有清楚顯示當寫(xiě)入/擦除完成時(shí)，寫(xiě)入/擦除周期中消耗的電流是否自動(dòng)逐步減少或是否繼續。 非易失NV-SRAM通常用于要求維護次數盡可能少，頻繁進(jìn)行讀/寫(xiě)操作，并且數據保存速度是至關(guān)重要的系統中。數控銑床就是一個(gè)例子。假設機器正在進(jìn)行銑操作的時(shí)候突然斷電。出于安全考慮，需要撤出鉆頭并將其停放在一個(gè)安全位置。一旦上電，機器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV-SRAM模塊，這一任務(wù)是很容易實(shí)現的。選擇的保持時(shí)間應等于或大于向EEPROM中存儲程序信息所需的時(shí)間。在數據寫(xiě)入EEPROM之前，仍然需要SRAM充當數據緩存。采用這一方案，附加元件的費用通常要超出NV-SRAM模塊的成本，并且可靠性較低。 在防篡改應用，特別是在PoS終端中，數據記錄非常重要。如今的智能終端無(wú)須經(jīng)過(guò)耗時(shí)的遠程服務(wù)器的驗證就能確認付款交易。由于安全數據存儲于終端內部，因此這里完全依靠單片BGA模塊。安全微控制器可以將密鑰存放在lC內部的“安全區”內。然而，仍然需要采取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密數據被讀取和解碼。目前所能提供的保護措施尚不足以對付那些狡猾的黑客。針對這一問(wèn)題，也有一些解決方案，例如NaxiDallasSermconductor推出了定制的BA模塊，包含安全微控制器、SRAM篡改檢測電路，以及定時(shí)和控制功能。 |
| NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數據，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數據存儲以及幾乎不需要現場(chǎng)維護的場(chǎng)合。 |
| 非易失NV-SRAM通常用于要求維護次數盡可能少，頻繁進(jìn)行讀/寫(xiě)操作，并且數據保存速度是至關(guān)重要的系統中。數控銑床就是一個(gè)例子。假設機器正在進(jìn)行銑操作的時(shí)候突然斷電。出于安全考慮，需要撤出鉆頭并將其停放在一個(gè)安全位置。一旦上電，機器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV-SRAM模塊，這一任務(wù)是很容易實(shí)現的。 |
