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日本東京大學(xué)開(kāi)發(fā)出了基本結構與閃存相同，由有機材料組成的非揮發(fā)性?xún)却妗坝袡C閃存”。該閃存具有擦除電壓僅為6V、讀取電壓僅為1V的特點(diǎn)。能夠耐受1000次以上的寫(xiě)入/擦除。具備柔性性質(zhì)，今后，隨著(zhù)數據保存時(shí)間的進(jìn)一步延長(cháng)，該閃存將能夠應用于大面積傳感器和電子紙等大面積電子用途。 該有機閃存由東京大學(xué)大學(xué)院工學(xué)系研究科電氣系工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授染谷隆夫與該專(zhuān)業(yè)助教關(guān)谷毅組成的研究小組開(kāi)發(fā)。相關(guān)論文已刊登在《科學(xué)》2009年12月11日刊中。 染谷小組制作的是以PEN（聚鄰苯二甲酸酯）樹(shù)脂為底板，26×26個(gè)2T型內存單元在其上方排列為陣列狀的薄片。薄片具有柔性，即使彎曲至曲率半徑6mm，機械、電性質(zhì)仍無(wú)劣化。其非揮發(fā)性?xún)却婀δ芤惨呀?jīng)過(guò)驗證。而且，通過(guò)與壓力傳感器集成，該內存陣列還可以制成能夠在薄片內保持壓像的“智能壓力傳感器”。 該內存被稱(chēng)為有機閃存是因為使用了與Si閃存相同的“浮柵結構”晶體管。具體來(lái)說(shuō)，PEN底板上由Al控制柵電極、絕緣膜、Al浮柵、絕緣膜、有機半導體并五苯以及Au源電極和柵電極組成。絕緣膜使用由AlOx和擁有烷基鏈（CH2-CH2-CH2-…）的一種磷酸組成的“自組裝單分子膜（SAM）”制成。SAM非常薄，僅厚2nm。 在過(guò)去，使用有機材料的非揮發(fā)性?xún)却嬉苍羞^(guò)試制先例。一種是使用鐵電體材料的類(lèi)型。另一種是與這次類(lèi)似的浮柵結構類(lèi)型。但鐵電體材料內存的寫(xiě)入/擦除電壓很難降低到20V以下。浮柵結構內存也存在著(zhù)因擦除電壓高、絕緣膜厚度不均而造成的內存特性誤差、在大氣中不穩定的課題。此次，通過(guò)使用無(wú)需控制厚度的SAM作為絕緣膜，特性誤差得到了抑制。而且，SAM在大氣中性質(zhì)穩定。 在目前，該閃存仍需解決數據保存時(shí)間僅為1天的課題。但研究小組稱(chēng)，隨著(zhù)組件的微細化和大分子長(cháng)SAM的采用，保存時(shí)間有望得到大幅延長(cháng)。 來(lái)源：日經(jīng)BP社 |
