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SEMICON West 2011會(huì )場(chǎng)本周又傳來(lái)了許多令人感興趣的半導體業(yè)界信息，其中本周三的會(huì )議內容多與光刻技術(shù)有關(guān)，一起來(lái)回顧一下。 GlobalFoundries透露20nm制程部分細節： 首先是GlobalFoundries工程師Mark Kelling的發(fā)言，他在發(fā)言中提前透露了GlobalFoundries公司20nm節點(diǎn)制程產(chǎn)品的一些細節參數，以及將用于制造20nm制程產(chǎn)品的大致光刻技術(shù)方案。 據他透露，制程細節參數方面，相比22nm節點(diǎn)，GlobalFoundries20nm節點(diǎn)的多晶硅層節距（即柵節距）將從100nm縮減到80nm，而金屬層節距（相當漏源極觸點(diǎn)節距）將從80nm縮減至64nm。 光刻技術(shù)方面，如以前公布的信息類(lèi)似（之前GlobalFoundries的說(shuō)法是，穩妥起見(jiàn)，20nm節點(diǎn)會(huì )同時(shí)使用EUV和193i+DP兩種技術(shù)制作芯片產(chǎn)品，由客戶(hù)自由選擇），GlobalFoundries公司表示20nm節點(diǎn)制程他們將使用雙重成像技術(shù)，不過(guò)這次他們透露將采用的雙重成像技術(shù)使用了一種特殊的負調光阻膠顯影技術(shù)（negative-tone develop resist process），不過(guò)他拒絕透露這種特殊技術(shù)的更多細節。 PS: "負調光阻膠顯影技術(shù)"的說(shuō)法聽(tīng)起來(lái)似乎與雙調顯影技術(shù)（DTD ual tone develpoment）存在某種類(lèi)似的聯(lián)系，所謂DTD指的就是采用特殊的雙調顯影型光阻膠材料，只進(jìn)行一次曝光，不過(guò)曝光完成后進(jìn)行兩次顯影處理，第一次為正調顯影，即曝光劑量大于某門(mén)限值的光阻膠被消除；第二次為負調顯影，即曝光劑量小于某門(mén)限值的光阻膠被消除。如此便可達到雙重成像的效果。 尼康ASML介紹新款193i光刻機及EUV光刻機產(chǎn)品信息： 接著(zhù)是兩大光刻設備廠(chǎng)商荷蘭ASML和日本尼康的發(fā)言。兩家公司均展示了其193nm光刻機和EUV光刻機的新版本未來(lái)發(fā)展藍圖計劃。 尼康表示，其即將發(fā)布的621D光刻機（193nm液浸式設計）系統的套準精度將可控制在2nm（3σ值）以?xún)人�，這款新機型同時(shí)還將應用光刻機掃描曝光參數自動(dòng)調節技術(shù)（ scanning tuning exposure control），即根據晶圓實(shí)際形貌和實(shí)際的電路布局狀況，微調焦距和曝光劑量，以此減小光刻制程變差，提高193nm液浸式光刻機性能的技術(shù)手段。更多有關(guān)NSR-S621D機型的信息，請參閱我們此前的有關(guān)報道。 另外，尼康還表示其試驗型EUV-1光刻機數值孔徑（NA）將達0.25，而制造用型EUV-HVM光刻機的數值孔徑（NA）將達到0.4水平. 另外一家光刻大廠(chǎng)ASML則老調重提，展示了從試量產(chǎn)型的NXE:3100機型（NA=0.25）,到正式量產(chǎn)型NXE:3300B（晶圓產(chǎn)出率125片/小時(shí)）的一些技術(shù)參數，至于人們所關(guān)心的光源功率方面，ASML表示3300B所用光源可向晶圓表面傳送的光源能量將達到15mJ水平。 
資料：ASML2010年公布的EUV Tools Roadmap ASML還透露，他們此前售出的EUV光刻機（準確說(shuō)應該是NXE3100型光刻機）中已有三臺在客戶(hù)廠(chǎng)內被用于芯片的試制，而第四臺EUV光刻機也已經(jīng)在安裝階段,2012年他們計劃售出10臺EUV光刻機。 不過(guò)有趣的是，ASML表示目前為止仍然未最終選定其EUV光刻機所配光源的分供商。 Mapper及其多束電子束直寫(xiě)系統：產(chǎn)出量為最大短板 具有濃烈臺積電背景的Mapper公司則介紹了其正在開(kāi)發(fā)中的多束電子束直寫(xiě)系統（multi-beam e-beam direct-write system）的有關(guān)內容。據該公司的 Bert Jan Kampherbeek介紹，Mapper公司預定明年交付給法國研究機構Leti以及臺積電公司的新款原型機（代號1.1）在25nm節點(diǎn)的單機產(chǎn)出量將可達到每小時(shí)一片晶圓的水平。Mapper還計劃將多臺這樣的機型級聯(lián)起來(lái)組成電子束光刻機組，力爭在16nm節點(diǎn)將產(chǎn)出量水平提升到10片/小時(shí)，并最終達到100片/小時(shí)的水平。
Mapper的電子束直寫(xiě)級聯(lián)機組 針對電子束直寫(xiě)系統產(chǎn)出量低下的弱點(diǎn)，Mapper狡猾但看上去又似乎不無(wú)道理地提出了所謂“產(chǎn)能投資成本論”，即利用電子束光刻機成本相對EUV便宜的優(yōu)勢，將所能得到的晶圓加工產(chǎn)出量，除以購買(mǎi)這種機型所需的成本投資得出的與EUV機型的對比數據。--要知道，Mapper期望的電子束直寫(xiě)機型單價(jià)定價(jià)僅在500萬(wàn)歐元左右，比EUV機型的價(jià)格低出近一個(gè)數量級。 Xtreme Technologies：LDP型EUV光刻機用光源介紹 接著(zhù)輪到最近可謂風(fēng)頭大出的EUV光刻機光源廠(chǎng)商 Xtreme Technologies發(fā)言，他們在會(huì )上展示了其獨特的激光輔助加熱型放電加熱等離子光源的詳細結構圖。這種技術(shù)集LPP和DPP兩者的優(yōu)勢與一身。其原理如下圖所示：
圖中可見(jiàn)，放電加熱用電容被接在兩個(gè)液態(tài)錫槽上，而液態(tài)錫則會(huì )吸附在兩個(gè)旋轉的工質(zhì)運送圓盤(pán)上，再使用激光照射圓盤(pán)，使附著(zhù)在其上的液態(tài)錫蒸發(fā)為細小的錫珠，然后再控制電容放電將這些錫珠等離子化發(fā)光。 該光源系統的分解圖如下：
工質(zhì)運送圓盤(pán)
激光照射圓盤(pán)上的液態(tài)錫
電容放電加熱錫珠工質(zhì)使其等離子化
會(huì )聚鏡片分解圖（黃色部分）
系統總成圖 據稱(chēng)該光源的放電頻率最高可達1萬(wàn)Hz水平。工程師還透露整套光源系統包含機殼在內的總重達到了8噸。 IMEC:EUV凍蒜！ 比利時(shí)研究機構IMEC的代表Luc van den Hove則在會(huì )上則為EUV光刻吶喊助威，他表示支持EUV技術(shù)走向實(shí)用的三大支柱--光刻機，掩膜及光阻膠的有關(guān)技術(shù)已經(jīng)全部基本準備就緒，盡管光源方面還存在一些挑戰，但他預計EUV在11nm節點(diǎn)左右將被投入實(shí)際生產(chǎn)使用。 盡管不是所有人都和他一樣樂(lè )觀(guān)，但這種態(tài)度相比往年在自信度方面已經(jīng)有明顯增強，至于這次發(fā)言是不是另一次放炮，就要看EUV今后幾年的實(shí)際發(fā)展狀況了。 |
