東芝發(fā)布24nm e-MMC閃存

發(fā)布時(shí)間:2011-7-28 20:10    發(fā)布者:Liming
關(guān)鍵詞: 24nm , e-MMC閃存 , 東芝
東芝今天宣布推出采用24nm新工藝的e-MMC NAND嵌入式閃存芯片,可為智能手機、平板機、電子書(shū)閱讀器、數碼相機、打印機等各種便攜和辦公設備帶來(lái)更高的性能、更大的容量。東芝24nm e-MMC閃存基于Toggle-Mode DDR NAND閃存芯片,完全符合JEDEC e-MMC Version 4.41標準規范,單顆Die容量為8GB,可在一顆芯片內封裝最多16顆Die和一個(gè)e-MMC控制器,總容量最大128GB,東芝也因此成為業(yè)內第一家做到這一點(diǎn)的企業(yè)。
憑借先進(jìn)的制造工藝和芯片細化和分層技術(shù),東芝還將芯片厚度做到了區區30微米,整體封裝體積最小11.5×13.0×1.0毫米、最大14.0×18.0×1.2毫米,更適合對體積要求嚴格的移動(dòng)便攜設備。 除了128GB大容量,東芝還會(huì )同時(shí)提供64GB、32GB、16GB、8GB、4GB、2GB等不同規格,將在今年下半年到明年第一季度陸續試產(chǎn)并投入量產(chǎn)。
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