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CYPRESS在包括汽車(chē)、工業(yè)、家庭自動(dòng)化和家電、醫療產(chǎn)品和消費電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域。主要向客戶(hù)提供市場(chǎng)領(lǐng)先的MCU、無(wú)線(xiàn) SoC、存儲器、模擬IC和USB控制器的解決方案。在快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域獲得了優(yōu)勢和橫跨傳統市場(chǎng)的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。 FM25V20A-DGQTR功能介紹 FM25V20A-DGQTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的2Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了121年的可靠數據保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性問(wèn)題。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V20A-DGQTR以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作。沒(méi)有寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫(xiě)入存儲器陣列。下一個(gè)總線(xiàn)周期可以開(kāi)始而無(wú)需數據輪詢(xún)。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著(zhù)的寫(xiě)入耐久性。FM25V20A-DGQTR能夠支持1014個(gè)讀/寫(xiě)周期，或比EEPROM多1000萬(wàn)倍的寫(xiě)周期。 這些功能使FM25V20A-DGQTR非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲器應用，例如數據收集（可能是關(guān)鍵的寫(xiě)入周期數）到要求嚴格的工業(yè)控制，而串行閃存或EEPROM的長(cháng)時(shí)間寫(xiě)入會(huì )導致數據丟失。 FM25V20A-DGQTR為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)提供了可觀(guān)的好處，可作為硬件的替代產(chǎn)品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI總線(xiàn)，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。該設備包含一個(gè)只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+105℃的擴展溫度范圍內保證器件的規格。 特征 ■邏輯組織為256K×8的2Mbit鐵電隨機存取存儲器（FRAM） •高耐用性10萬(wàn)億（1014）讀/寫(xiě) •121年的數據保留 •NoDelay™寫(xiě)道 •先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝 ■極快的SPI •高達33MHz的頻率 •直接更換串行閃存和EEPROM的硬件 •支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） ■復雜的寫(xiě)保護方案 •使用寫(xiě)保護（WP）引腳進(jìn)行硬件保護 •使用禁止寫(xiě)入指令進(jìn)行軟件保護 •適用于1/4、1/2或整個(gè)陣列的軟件塊保護 ■設備ID •制造商ID和產(chǎn)品ID ■低功耗 •在33MHz時(shí)有3.0mA有功電流 •400μA待機電流 •12μA睡眠模式電流 ■低壓操作：VDD=2.0V至3.6V ■擴展溫度：–40℃至+105℃ ■8引腳薄型雙扁平無(wú)引線(xiàn)（DFN）封裝 ■符合有害物質(zhì)限制（RoHS） |
| FM25V20A-DGQTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的2Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了121年的可靠數據保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性問(wèn)題。 |
| FM25V20A-DGQTR為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)提供了可觀(guān)的好處，可作為硬件的替代產(chǎn)品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI總線(xiàn)，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。該設備包含一個(gè)只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+105℃的擴展溫度范圍內保證器件的規格。 |
