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FRAM存儲器提供即時(shí)寫(xiě)入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點(diǎn)。 這些吸引人的特性是鋯鈦酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結果。PZT具有鈣鈦礦晶體結構，中心有一個(gè)陽(yáng)離子（見(jiàn)圖1）。該陽(yáng)離子可以處于兩個(gè)位置之一，并且可以通過(guò)施加電場(chǎng)來(lái)切換位置。每個(gè)轉換都會(huì )產(chǎn)生“開(kāi)關(guān)電荷”（Q s），可以將其讀取以表示邏輯1或0。 鐵電存儲器的操作與浮柵技術(shù)衍生的傳統可寫(xiě)非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過(guò)將電荷存儲在位單元中來(lái)工作。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產(chǎn)生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過(guò)柵極氧化物。這產(chǎn)生長(cháng)的寫(xiě)入延遲并且需要高的寫(xiě)入功率，這對存儲單元具有破壞性。 相比之下，FRAM的寫(xiě)入速度實(shí)際上是即時(shí)的-只需幾皮秒。由于持續時(shí)間短，該寫(xiě)操作可由FRAM存儲芯片的固有電容供電。這意味著(zhù)，一旦將數據提供給設備的引腳，就可以保證即使系統電源出現故障也可以存儲數據，并且無(wú)需電容器或任何其他外部電源。即時(shí)寫(xiě)入速度還意味著(zhù)板上無(wú)需高速緩沖SRAM或DRAM存儲器（見(jiàn)圖2）。 圖2：FRAM的快速寫(xiě)入速度可保護使用EEPROM設備時(shí)可能丟失的關(guān)鍵數據。（來(lái)源：賽普拉斯半導體） 鐵電原理也具有無(wú)限的耐力。例如cypress半導體公司的Excelon-Auto FRAM存儲設備的額定寫(xiě)入周期為100萬(wàn)億次。這足以使其在20年內每10 μs記錄一次數據，而無(wú)需使用復雜的磨損均衡軟件。 有效的汽車(chē)EDR實(shí)施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無(wú)限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續存儲最新的1到5 s的數據，而閃存陣列用于批量存儲較舊的數據。對于Excelon-Auto設備，有一個(gè)串行外圍設備接口，它使用標準的非易失性命令進(jìn)行配置以及讀寫(xiě)操作。cypress代理商可提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)支持。 |
