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FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。 富士通的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）被用作電弧事件發(fā)生器和調查衛星（AEGIS）的關(guān)鍵存儲器，HORYU-IV搭載的FRAM利用其寫(xiě)入速度快、讀寫(xiě)周期長(cháng)、低功耗、高可靠性等優(yōu)異的電子特性，用于記錄觀(guān)測數據。富士通在FRAM應用于IC卡、電表和機器人機床方面有著(zhù)多年的豐富經(jīng)驗。這一次，展示了太空任務(wù)作為衛星組件的新應用。 富士通FRAM其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現有存儲器，功耗更低，并為多次讀寫(xiě)操作提供更高的速度和耐用性。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質(zhì)用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。 獨立FRAM提供了將FRAM同化到任何需要高速非易失性存儲器的系統的靈活性。FRAM不需要電池來(lái)備份其數據，從而在整個(gè)系統中節省了大量成本和電路板空間。它可以用于存儲設備的設置、配置、狀態(tài)，并且數據可以在以后使用。這些存儲的數據可用于重置設備、分析上次狀態(tài)和激活恢復操作。逐字節隨機訪(fǎng)問(wèn)使內存管理更有效。 FRAM只是一種像RAM一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶(hù)創(chuàng )造了在底層對FRAM進(jìn)行編程以根據他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機會(huì )。獨立的FRAM允許設計人員發(fā)揮創(chuàng )造力，在廣泛的設計中探索和使用FRAM。 |
