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Rambus Inc.今天宣布推出Rambus HBM2E內存接口子系統，該子系統包括一個(gè)完全集成的PHY和控制器，在三星先進(jìn)的14 / 11nm FinFET工藝上經(jīng)過(guò)硅驗證。 通過(guò)利用30多年的信號完整性專(zhuān)業(yè)知識，Rambus解決方案的運行速度高達3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿(mǎn)足了TB級帶寬加速器的需求，此類(lèi)加速器針對性能要求最為嚴苛的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）應用。 三星電子設計平臺開(kāi)發(fā)副總裁Jongshin Shin說(shuō)：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內存接口設計專(zhuān)業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結合在一起。AI和HPC系統的設計人員可以使用HBM2E內存實(shí)現平臺設計，利用三星先進(jìn)的14 / 11nm工藝，以達到無(wú)與倫比的性能水平�！� 完全集成的，可投入生產(chǎn)的Rambus HBM2E內存子系統以3.2 Gbps的速度運行，為設計人員在平臺實(shí)現上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過(guò)利用三星的14/11nm工藝和先進(jìn)的封裝技術(shù)對HBM2E PHY和內存控制器IP核進(jìn)行硅驗證。 Rambus IP部門(mén)總經(jīng)理Matt Jones表示：“由于硅片的運行速度高達3.2 Gbps，客戶(hù)可以為自己的設計留出足夠的余地來(lái)實(shí)現HBM2E存儲器子系統�？蛻�(hù)將受益于我們的全面支持，其中包括2.5D封裝和中介層參考設計提供，有助于確�？蛻�(hù)一次到位成功實(shí)現�！� Rambus HBM2E內存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點(diǎn)： • 通過(guò)單個(gè)HBM2E DRAM 3D器件實(shí)現每引腳3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系統帶寬 • 硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經(jīng)過(guò)驗證，可降低ASIC設計的復雜性并加快上市時(shí)間 • 作為IP授權的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設計 • 提供Rambus系統和SI / PI專(zhuān)家的技術(shù)支持，幫助ASIC設計人員確保設備和系統的最大信號與電源完整性 • 具有特色的LabStation™開(kāi)發(fā)環(huán)境，可協(xié)助客戶(hù)回片后快速點(diǎn)亮系統,校正和偵錯 • 支持高性能應用程序，包括最先進(jìn)的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）系統 有關(guān)Rambus接口IP（包括我們的PHY和控制器）的更多信息，請訪(fǎng)rambus.com/interface-ip。 |
