|
全新多路復用寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器、多路復用數據緩沖器和PMIC，使下一代MRDIMM 速度提升至高達每秒12,800兆次傳輸，滿(mǎn)足AI和高性能計算應用需求 瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。 
人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業(yè)領(lǐng)導者以及終端客戶(hù)合作，在新型MRDIMM的設計、開(kāi)發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。 瑞薩設計并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG50120第二代多路復用寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器（MRCD）、RRG51020第二代多路復用數據緩沖器（MDB），和RRG53220第二代電源管理集成電路（PMIC）。此外，瑞薩還批量生產(chǎn)溫度傳感器（TS）和串行存在檢測（SPD）集線(xiàn)器解決方案，并為包括行業(yè)標準下一代MRDIMM在內的各類(lèi)服務(wù)器和客戶(hù)端DIMM提供全面的芯片組解決方案。作為內存接口領(lǐng)域的卓越廠(chǎng)商，瑞薩致力于為用戶(hù)提供高質(zhì)量、高性能的產(chǎn)品和服務(wù)。 Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：“AI和HPC應用對更高性能系統的需求持續增長(cháng)。瑞薩緊跟這一趨勢，與行業(yè)領(lǐng)導者攜手開(kāi)發(fā)下一代技術(shù)及規范。這些公司依靠瑞薩提供的專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識和生產(chǎn)能力來(lái)滿(mǎn)足日益增長(cháng)的需求。我們面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片組解決方案，體現了瑞薩在這一市場(chǎng)領(lǐng)域的卓越地位�！� 瑞薩RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，緩沖主機控制器與DRAM之間的命令/地址（CA）總線(xiàn)、芯片選擇和時(shí)鐘。與第一代產(chǎn)品相比，其功耗降低45%。這對于超高速系統的熱管理而言是一個(gè)關(guān)鍵指標。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一個(gè)關(guān)鍵器件，用于緩沖從主機CPU到DRAM的數據。瑞薩的新MRCD和MDB均支持高達每秒12.8吉比特（Gbps）的速度。此外，瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供出色的電氣過(guò)壓保護和卓越的能效，并針對高電流及低電壓操作進(jìn)行優(yōu)化。 供貨信息 瑞薩現已開(kāi)始提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品。預計新產(chǎn)品將于2025年上半年投產(chǎn)。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)： www.renesas.com/DDR5。 |
