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英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）和松下公司簽署協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)第二代（Gen2）成熟的氮化鎵（GaN）技術(shù)，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力相結合，標志著(zhù)英飛凌對氮化鎵功率半導體日益增長(cháng)的需求的戰略拓展。根據市場(chǎng)需求，Gen2將被開(kāi)發(fā)為650V GaN HEMT。這些器件將易于使用，并提供更高的性?xún)r(jià)比，主要針對高功率和低功率SMPS應用、可再生能源、電機驅動(dòng)應用等。 對于許多設計來(lái)說(shuō)，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動(dòng)態(tài)導通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開(kāi)關(guān)。由此帶來(lái)的能耗節省和系統總成本降低、可以在更高頻率、更高的功率密度和整體系統效率下工作，使GaN成為對設計工程師非常有吸引力的選擇。 英飛凌電源和傳感器系統事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“除了與第1代相同的高可靠性標準外，由于轉向8英寸晶圓制造，下一代客戶(hù)將因晶體管更易控制以及顯著(zhù)改善的成本定位而受益。如同雙方聯(lián)合開(kāi)發(fā)的第一代器件（即英飛凌的CoolGaN™和松下的X-GaN™），第二代器件將基于常閉型硅基氮化鎵晶體管結構，再結合混合型漏極嵌入式柵極注入晶體管（HD-GIT）結構無(wú)可比擬的穩健性，使這些組件成為市場(chǎng)上的首選產(chǎn)品和最長(cháng)期可靠的解決方案之一�！� 松下電器工業(yè)解決方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示：“我們很高興能擴大與英飛凌在氮化鎵組件方面的伙伴關(guān)系和合作。在這種聯(lián)合方式下，我們將能夠以最新的創(chuàng )新發(fā)展為基礎，提供高品質(zhì)的第一代和第二代器件�！� 供貨情況 全新650V GaN Gen2器件計劃于2023年上半年上市。 |
