|
日前，SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷(xiāo)售團隊。 派恩杰負責市場(chǎng)與銷(xiāo)售的副總裁高治廷先生表示：“過(guò)去三年，派恩杰潛心研發(fā)，已經(jīng)發(fā)布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件，這些產(chǎn)品在海內外都已經(jīng)被一些一線(xiàn)客戶(hù)導入使用。經(jīng)第三方機構&全球一線(xiàn)客戶(hù)實(shí)機測試驗證，產(chǎn)品性能已達國際一流水平。我們爭取成為在海外市場(chǎng)最大份額的中國SiC & GaN品牌�！� 據了解，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，目前已是國際標準委員會(huì )JC-70會(huì )議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。其創(chuàng )始人黃興是美國北卡州立大學(xué)博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會(huì )員，美國科學(xué)院院士，IGBT發(fā)明者，奧巴馬授予國家技術(shù)創(chuàng )新獎?wù)拢┡cDr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發(fā)射極關(guān)斷晶閘管（ETO）的發(fā)明者），在Cree / RFMD(Qorvo) / USCi等有長(cháng)達十年的SiC & GaN功率器件設計經(jīng)驗，累計發(fā)布10余篇科技論文，超過(guò)350次引用，20余項專(zhuān)利發(fā)明，技術(shù)實(shí)力非常強。 為此，2019年3月，派恩杰成立僅6個(gè)月即發(fā)布了第一款可兼容驅動(dòng)650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS，填補了國內空白。2020年先后發(fā)布用于5G數據中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級MOS以及用于車(chē)載充電機的650V車(chē)規級MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車(chē)規級MOS，應用于電動(dòng)汽車(chē)電驅單管及模塊。 官方資料顯示，派恩杰的SiC晶圓是由全球晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB生產(chǎn)制作的。X-Fab是全球第一家提供150mm SiC工藝的foundry，同時(shí)也是當前全球具備規�；慨a(chǎn)能力的SiC晶圓代工廠(chǎng)TOP3，產(chǎn)能和品質(zhì)都很可靠。 耐高溫、高頻、大功率、高壓等特性，使得SiC器件在軌道交通、電網(wǎng)、光伏逆變器、新能源汽車(chē)、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域扮演著(zhù)重要角色。而GaN技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出等應用。中國企業(yè)近年來(lái)快速布局第三代半導體領(lǐng)域。作為寬禁帶半導體功率器件的新秀，派恩杰開(kāi)始布局全球，這說(shuō)明中國第三代半導體企業(yè)的技術(shù)水平已經(jīng)有機會(huì )可以與國際企業(yè)一爭高下。 |
