可作為MCU外擴SRAM芯片的型號推薦

發(fā)布時(shí)間:2021-10-28 17:36    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: MCU , SRAM , SRAM芯片
世界上最早的全電子化存儲器是1947年誕生的,其原理是用陰極射線(xiàn)管在屏幕表面上留下記錄數據的“點(diǎn)”。從那時(shí)起,計算機內存開(kāi)始使用磁存儲技術(shù)并經(jīng)歷了數代演變,相關(guān)系統包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅動(dòng)器和磁泡存儲器。從1970年代開(kāi)始,主流的集成半導體存儲器則主要分為三類(lèi):動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。

計算機內存主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上緩存。已經(jīng)歷了數十年的發(fā)展。SRAM不需要周期性刷新就能鎖存“0”和“1”信號,影響其發(fā)展的主要因素則是單元面積和讀取速度。

MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用,MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM,在某些應用設計中會(huì )出現內置RAM不足的情況,需要對STM32單片機進(jìn)行外擴RAM的處理,可以選擇更換更高RAM容量的單片機,除了價(jià)格貴還需要涉及其他被動(dòng)器件的更改,STM32系列可以通過(guò)FMSC接口外擴并口SRAM,比如采用國產(chǎn)SRAM芯片EMI7064.

我司英尚微介紹以下SRAM芯片作為外擴的考慮

1.串口SRAM芯片:這種封裝是SOP-8的串口SRAM芯片,一般推薦用EMI7064這一款,容量可以達到64Mbit,占用占用單片機的I/O腳位比較少,較多的應用在各類(lèi)產(chǎn)品中,性?xún)r(jià)比比較高的一款SRAM芯片產(chǎn)品。

2.并口SRAM芯片:一般并口SRAM芯片占用單片機的I/O腳位比較多,可能在應用設計中需要讀取速度較快的可以考慮用這種,數據讀取速度可以達到8NS,因為是屬于六個(gè)晶體管的設計,在價(jià)格上比較貴,適合用于以下大型工控類(lèi)產(chǎn)品,服務(wù)器,金融醫療等產(chǎn)品。

3. 偽靜態(tài)SRAM芯片(也稱(chēng)PSRAM):這款封裝一般是BGA的,容量同樣可以達到64Mbit,速度一般在70ns左右,價(jià)格相對比并口SRAM芯片要便宜。

總體來(lái)看,一般看應用設計對外擴SRAM芯片的數據讀取速度要求多少,容量以及性?xún)r(jià)比來(lái)選擇SRAM芯片。



EMI7064LSMxx.pdf (10.22 MB)
Part Number
Vcc Range
MHz (max)
Density
Temp. Ranges
Package
EMI7064LSME
1.6V~2.0V
20
64Mb
-25°C~+85°C
8pin SOIC
EMI7064MSMI
2.7V~3.3V
20
64Mb
-40°C~+85°C
8pin SOIC
EMI7064MSME
2.7V~3.3V
20
64Mb
-25°C~+85°C
8pin SOIC
EMI7064LSMI
1.6V~2.0V
20
64Mb
-40°C~+85°C
8pin SOIC




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