|
世界上最早的全電子化存儲器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線(xiàn)管在屏幕表面上留下記錄數據的“點(diǎn)”。從那時(shí)起，計算機內存開(kāi)始使用磁存儲技術(shù)并經(jīng)歷了數代演變，相關(guān)系統包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅動(dòng)器和磁泡存儲器。從1970年代開(kāi)始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類(lèi)：動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。 計算機內存主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上緩存。已經(jīng)歷了數十年的發(fā)展。SRAM不需要周期性刷新就能鎖存“0”和“1”信號，影響其發(fā)展的主要因素則是單元面積和讀取速度。 MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用，MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM，在某些應用設計中會(huì )出現內置RAM不足的情況，需要對STM32單片機進(jìn)行外擴RAM的處理，可以選擇更換更高RAM容量的單片機，除了價(jià)格貴還需要涉及其他被動(dòng)器件的更改，STM32系列可以通過(guò)FMSC接口外擴并口SRAM，比如采用國產(chǎn)SRAM芯片EMI7064. 我司英尚微介紹以下SRAM芯片作為外擴的考慮 1.串口SRAM芯片：這種封裝是SOP-8的串口SRAM芯片，一般推薦用EMI7064這一款，容量可以達到64Mbit,占用占用單片機的I/O腳位比較少，較多的應用在各類(lèi)產(chǎn)品中，性?xún)r(jià)比比較高的一款SRAM芯片產(chǎn)品。 2.并口SRAM芯片：一般并口SRAM芯片占用單片機的I/O腳位比較多，可能在應用設計中需要讀取速度較快的可以考慮用這種，數據讀取速度可以達到8NS，因為是屬于六個(gè)晶體管的設計，在價(jià)格上比較貴，適合用于以下大型工控類(lèi)產(chǎn)品，服務(wù)器，金融醫療等產(chǎn)品。 3. 偽靜態(tài)SRAM芯片（也稱(chēng)PSRAM）：這款封裝一般是BGA的，容量同樣可以達到64Mbit,速度一般在70ns左右，價(jià)格相對比并口SRAM芯片要便宜。 總體來(lái)看，一般看應用設計對外擴SRAM芯片的數據讀取速度要求多少，容量以及性?xún)r(jià)比來(lái)選擇SRAM芯片。 
EMI7064LSMxx.pdf
(10.22 MB)
|
