最大化減少研發(fā)和成本的投入，以及確保中壓氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)的穩健和高效運行，是現代電力電子系統設計的幾個(gè)核心要求。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）依照其戰略性設計GaN產(chǎn)品組合，不斷加強全系統解決方案，推出EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V單通道門(mén)極驅動(dòng)器IC系列產(chǎn)品。新的系列產(chǎn)品不僅提升了CoolGaN肖特基柵（SG）HEMT的性能，同時(shí)也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。該門(mén)極驅動(dòng)器系列產(chǎn)品可廣泛應用于DC-DC轉換器、電機驅動(dòng)器、電信、服務(wù)器、機器人、無(wú)人機、電動(dòng)工具和D類(lèi)音頻放大器等領(lǐng)域。
1EDN71x6G系列產(chǎn)品具有可選上拉和下拉驅動(dòng)強度特性，無(wú)需柵極電阻即可實(shí)現波形和開(kāi)關(guān)速度優(yōu)化，因此可使功率級電路布局面積更小，BOM元器件數量更少。驅動(dòng)能力最強和開(kāi)關(guān)速度最快的的驅動(dòng)器產(chǎn)品（1EDN7116G）適用于多并聯(lián)的半橋組合電路。驅動(dòng)能力最小和開(kāi)關(guān)速度最慢的驅動(dòng)產(chǎn)品（1EDN7146G）可用于需求dv/dt變化緩慢的應用，如電機驅動(dòng)或小晶片GaN（高RDS(on)、低Qg）HEMTs。不僅如此，每款產(chǎn)品都有不同的消隱時(shí)間，并與最小建議死區時(shí)間、最小脈沖寬度和傳播延遲成正比。 真差分邏輯輸入（TDI）功能不僅可消除低邊應用中由于接地反彈電壓而造成的錯誤觸發(fā)風(fēng)險，還能讓1EDN71x6G能夠處理高邊側應用。此外，所有系列產(chǎn)品均采用有源米勒鉗位技術(shù)，該技術(shù)有非常強的下拉功能，可以避免感應開(kāi)啟。這為抵抗柵極驅動(dòng)器回路中的毛刺電壓提供了更強的魯棒性，尤其是在驅動(dòng)具有高米勒比的晶體管時(shí)。 此外，1EDN71x6G提供有源自舉鉗位，以避免在死區時(shí)間時(shí)對自舉電容過(guò)度充電。這實(shí)現了自舉電源電壓調節，無(wú)需額外的調節電路即可對高邊側晶體管的柵極形成保護。如有需要（如在無(wú)法完全優(yōu)化PCB布局的情況下），該產(chǎn)品系列還可提供帶有可調負關(guān)斷電源的可編程電荷泵，以此取得額外的米勒感應導通抗擾度。 供貨情況 用于CoolGaN SG HEMT的1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G四款EiceDRIVER HS 200 V單通道柵極驅動(dòng)器IC，現在可在PG-VSON-10套裝中訂購。更多相關(guān)信息請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/eicedriver-1edn71x6x。 更多與英飛凌為節能所做貢獻有關(guān)的信息請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/green-energy |
