單刀雙擲和單刀四擲開(kāi)關(guān)產(chǎn)品組合支持寬帶和高頻應用 pSemi Corporation推出業(yè)界首款用于支持高達67 GHz的高頻應用的單刀四擲開(kāi)關(guān),進(jìn)一步擴大該公司旗下的射頻 SOI產(chǎn)品組合。新款開(kāi)關(guān)設計緊湊且高效節能,在FR2頻率范圍內擁有同類(lèi)產(chǎn)品最佳的插入損耗、線(xiàn)性度、開(kāi)關(guān)時(shí)間和功率處理能力,旨在增強5G毫米波系統和短距連接性。目前,pSemi提供毫米波單刀雙擲和單刀四擲開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品,助力設計人員在測試和測量、無(wú)線(xiàn)基礎設施、衛星和點(diǎn)對點(diǎn)通信應用等方面簡(jiǎn)化設計布局,以及提高系統整體效率。 毫米波產(chǎn)品的興起 隨著(zhù)面向增強現實(shí)(AR)、虛擬現實(shí)(VR)和人工智能(AI)設備和應用的投資不斷增加,毫米波頻率能夠發(fā)揮至關(guān)重要的作用,為先進(jìn)通信網(wǎng)絡(luò )提高數據速率、提高吞吐量和降低延遲。5G毫米波和多頻段配置促成了更加復雜的信號傳輸和更加密集的天線(xiàn)結構,以支持不斷發(fā)展的蜂窩、衛星和未授權標準。設計人員通過(guò)實(shí)施相控陣天線(xiàn)和優(yōu)化的射頻前端架構來(lái)攻克這些挑戰,以便在不增加系統噪聲或損耗的情況下,最大限度地提高信號強度和吞吐量。 ![]() 新型pSemi毫米波開(kāi)關(guān)支持無(wú)線(xiàn)基礎設施、測試和測量、衛星和點(diǎn)對點(diǎn)通信系統等應用。 pSemi銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Vikas Choudhary表示:“市場(chǎng)對流媒體、增強現實(shí)、虛擬現實(shí)和混合現實(shí)體驗的需求加速了毫米波產(chǎn)品的商業(yè)化。pSemi不斷拓展自身由毫米波開(kāi)關(guān)、數字步進(jìn)衰減器、波束成形器和升降頻轉換器組成的產(chǎn)品組合,并隨著(zhù)更高頻段的發(fā)布,加大技術(shù)投資力度,以滿(mǎn)足客戶(hù)在較高的毫米波頻率的頻譜需求! 寬帶射頻開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和優(yōu)勢 三款UltraCMOS開(kāi)關(guān)支持多種產(chǎn)品配置,兼具射頻性能、可靠性和靈活性(尺寸),是9 kHz 至 67 GHz毫米波系統設計的理想之選。PE42545 單刀四擲開(kāi)關(guān)采用倒裝芯片形式,最高可支持67 GHz,PE42525 單刀雙擲開(kāi)關(guān)最高可支持60 GHz。PE42546 單刀四擲開(kāi)關(guān)采用小型3 x 3mm LGA 封裝設計,最高可支持45 GHz頻率。 • 低延遲——在先進(jìn)通信方案中實(shí)現快速數據傳輸模式和快速數據接收模式之間的極速切換。 • 高能效——卓越的功率處理能力和低插入損耗,可節省發(fā)射功率并提高接收器靈敏度。 • 寬頻帶覆蓋——采用專(zhuān)利設計技術(shù),達到同類(lèi)型產(chǎn)品最佳的回波損耗,提供高達67GHz 的射頻性能。 測試與測量——毫米波單刀四擲案例分析 測試和測量行業(yè)面臨著(zhù)獨特的挑戰,即需要在5G毫米波技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先優(yōu)勢,才能提供先進(jìn)的測試解決方案。因而設備必須支持更高的功率處理能力、高線(xiàn)性度、低插入損耗和快速切換,以便在極端條件下高效地進(jìn)行高達67 GHz的壓力測試。 ![]() 全新pSemi 單刀四擲開(kāi)關(guān)簡(jiǎn)化了濾波器組的設計。 對于希望能夠簡(jiǎn)化復雜寬帶設計的測試和測量設計人員來(lái)說(shuō),單個(gè)PE42545或PE42546 單刀四擲開(kāi)關(guān)可以取代級聯(lián)濾波器組配置中使用的多個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān),從而減少空間,提供插入損耗更低的頻段選擇路徑。隨著(zhù)3GPP標準在5G、5G-Advanced和6G領(lǐng)域的不斷發(fā)展,使用可擴展且可靠的器件確保設計人員能夠輕松調整系統設計,以滿(mǎn)足不同的頻段配置要求。 更多信息 欲了解更多與寬帶開(kāi)關(guān)相關(guān)的信息,請聯(lián)系pSemi團隊。 |