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~EcoGaN第一波產(chǎn)品“GNE10xxTB系列”將有助于基站和數據中心等應用實(shí)現更低功耗和小型化~ ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設備的電源電路。 
一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結構，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規的6V提高到了8V。這樣，在開(kāi)關(guān)工作過(guò)程中即使產(chǎn)生了超過(guò)6V的過(guò)沖電壓*3，器件也不會(huì )劣化，從而有助于提高電源電路的設計裕度和可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型封裝，這使得安裝工序的操作更容易。 新產(chǎn)品于2022年3月起開(kāi)始量產(chǎn)，前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本濱松市），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本京都市）。 ROHM將有助于節能和小型化的GaN器件產(chǎn)品陣容命名為“EcoGaN”，并一直致力于進(jìn)一步提高器件的性能。今后，ROHM將繼續開(kāi)發(fā)融入了“Nano Pulse Control”*4等模擬電源技術(shù)的控制IC及其模塊，通過(guò)提供能夠更大程度地發(fā)揮GaN器件性能的電源解決方案，為實(shí)現可持續發(fā)展社會(huì )貢獻力量。 名古屋大學(xué)研究生院工學(xué)研究科 山本真義教授表示：“今年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省制定了到2030年新建數據中心節能30%的目標，目前距實(shí)現該目標只有不到10年的時(shí)間。然而，這些產(chǎn)品的性能不僅涉及到節能，還關(guān)系到作為社會(huì )基礎設施的堅固性和穩定性。針對未來(lái)的這種社會(huì )需求，ROHM開(kāi)發(fā)了新的GaN器件，不僅更加節能，而且柵極耐壓還高達8V，可以確保堅固型和穩定性。以該系列產(chǎn)品為開(kāi)端，ROHM通過(guò)融合其引以為豪的模擬電源技術(shù)‘Nano Pulse Control’，不斷提高各種電源的效率，在不久的將來(lái)，應該會(huì )掀起一場(chǎng)巨大技術(shù)浪潮，推進(jìn)實(shí)現‘2040年在半導體和信息通信行業(yè)實(shí)現碳中和’的目標�！�
＜開(kāi)發(fā)背景＞ 近年來(lái)，在服務(wù)器系統等領(lǐng)域，由于IoT設備的需求日益增長(cháng)，功率轉換效率的提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì )課題之一，而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。ROHM一直在大力推動(dòng)業(yè)內先進(jìn)的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，同時(shí)，一直致力于在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開(kāi)發(fā)，旨在為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。 ＜什么是EcoGaN＞ EcoGaN是通過(guò)更大程度地優(yōu)化GaN的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，助力應用產(chǎn)品進(jìn)一步節能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現外圍元器件的小型化、減少設計工時(shí)和元器件數量等。 ・EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標。 ＜新產(chǎn)品特點(diǎn)＞ 1. 采用ROHM自有結構，將柵極-源極間額定電壓提高至8V 普通的耐壓200V以下的GaN器件在結構上柵極驅動(dòng)電壓為5V，而其柵極-源極間額定電壓為6V，其電壓裕度非常小，只有1V。一旦超過(guò)器件的額定電壓，就可能會(huì )發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問(wèn)題，這就需要對柵極驅動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制，因此，這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問(wèn)題。 針對這一課題，新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM自有的結構，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提高到了業(yè)內超高的8V。這使器件工作時(shí)的電壓裕度得到進(jìn)一步擴大，在開(kāi)關(guān)工作過(guò)程中即使產(chǎn)生了超過(guò)6V的過(guò)沖電壓，器件也不會(huì )劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。
2. 采用支持大電流且具有出色散熱性的封裝 新產(chǎn)品所采用的封裝形式，支持大電流且具有出色的散熱性能，在可靠性和可安裝性方面已擁有出色的實(shí)際應用記錄，而且通用性強，這使得安裝工序的操作更加容易。此外，通過(guò)采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55％，從而在設計可能會(huì )高頻工作的電路時(shí)，可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。 3. 在高頻段的電源效率高達96.5%以上 新產(chǎn)品通過(guò)擴大柵極-源極間額定電壓和采用低電感封裝，更大程度地提升了器件的性能，即使在1MHz的高頻段也能實(shí)現96.5%以上的高效率，有助于提高電源設備的效率和進(jìn)一步實(shí)現小型化。
＜應用示例＞ ・數據中心和基站等的48V輸入降壓轉換器電路 ・基站功率放大器單元的升壓轉換器電路 ・LiDAR驅動(dòng)電路、便攜式設備的無(wú)線(xiàn)充電電路 ・D類(lèi)音頻放大器 ＜電路示例＞
＜產(chǎn)品陣容＞
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞ *1) GaN HEMT GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——硅相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前利用其高頻特性的應用已經(jīng)開(kāi)始增加。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫(xiě)。 *2) 柵極-源極間額定電壓（柵極耐壓） 可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。工作所需的電壓稱(chēng)為“驅動(dòng)電壓”，當施加了高于特定閾值的電壓時(shí)，GaN HEMT將處于ON狀態(tài)。 *3) 過(guò)沖電壓 開(kāi)關(guān)ON/OFF時(shí)產(chǎn)生超出規定電壓值的電壓。 *4) Nano Pulse Control 一種超高速脈沖控制技術(shù)，在電源IC中實(shí)現納秒（ns）級的開(kāi)關(guān)導通時(shí)間（電源IC的控制脈沖寬度），使得以往必須由2枚以上電源IC完成的從高電壓到低電壓的電壓轉換工作，僅由“1枚電源IC”即可實(shí)現。 |
