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產(chǎn)品陣容進(jìn)一步擴大，助力應用產(chǎn)品實(shí)現小型化 ROHM（總部位于日本京都）為滿(mǎn)足車(chē)載設備、工業(yè)設備和消費電子設備等各種應用中保護電路和開(kāi)關(guān)電路小型化需求，推出了PMDE封裝（2.5mm×1.3mm）產(chǎn)品，此次，又在產(chǎn)品陣容中新增14款機型。 
從車(chē)載設備到工業(yè)設備和消費電子設備的廣泛應用中，二極管被廣泛用于電路整流、保護和開(kāi)關(guān)用途，為了削減安裝面積，要求減小二極管的封裝尺寸。此外，在這些應用中，還需要使用更高性能的二極管來(lái)降低功耗。而另一方面，當減小二極管的封裝尺寸時(shí)，背面電極和模塑表面積也會(huì )減小，從而會(huì )導致散熱性變差。對此，ROHM的PMDE封裝通過(guò)擴大背面電極和改善散熱路徑，提高了散熱性能。封裝小型化的同時(shí)，實(shí)現與傳統封裝同等的電氣特性。 PMDE封裝是ROHM自有的小型封裝，具有與普通SOD-323封裝相同的焊盤(pán)圖案。通過(guò)改善背面電極和散熱路徑，用更小的封裝尺寸實(shí)現了與普通SOD-123FL封裝（3.5mm×1.6mm）同等的電氣特性（電流、耐壓等），并且使安裝面積減少約42%，有助于電路板的小型化。此外，安裝強度約為SOD-123FL封裝的1.4倍，降低了電路板承受應力時(shí)產(chǎn)生裂紋（產(chǎn)品龜裂）的風(fēng)險，因此安裝可靠性更高。
此次，PMDE封裝產(chǎn)品中，RBxx8系列肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）新增了10款、RFN系列快恢復二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“FRD”）新增了2款、VS系列瞬態(tài)電壓抑制二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TVS”）新增了2款機型。電路中的很多用途均可通過(guò)小尺寸二極管來(lái)實(shí)現。 所有新產(chǎn)品從2022年1月起均已投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格：50日元～/個(gè)，不含稅），樣品可通過(guò)Ameya360、Sekorm、RightIC、Oneyac等電商平臺購買(mǎi)。
今后，ROHM將繼續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質(zhì)，并繼續加強別具特色的產(chǎn)品陣容，為應用產(chǎn)品進(jìn)一步實(shí)現小型化和更低功耗貢獻力量。 ＜PMDE封裝的特點(diǎn)＞ 1. 以小型封裝實(shí)現與傳統封裝同等的性能 通常，半導體元器件將通電時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)到空氣中或電路板上。但是，當減小封裝尺寸時(shí)，背面電極和模塑表面積也會(huì )隨之減小，從而使散熱性變差。 對此，PMDE封裝通過(guò)擴大背面電極面積，同時(shí)改善了散熱路徑，將經(jīng)由引線(xiàn)框架散熱改為直接散發(fā)到電路板上。這使散熱性能大幅提升，以更小的尺寸（2.5mm×1.3mm）即可實(shí)現與普通SOD-123FL封裝（3.5mm×1.6mm）同等的電氣特性，從而可減少約42%的安裝面積，非常適合元器件安裝密度不斷提高的車(chē)載應用。
2. 確保比傳統封裝更高的可靠性 PMDE封裝通過(guò)擴大其背面電極面積，增加了金屬部分所占的面積，從而實(shí)現了34.8N的貼裝強度，約為SOD-123FL封裝的1.4倍。該優(yōu)勢降低了電路板承受應力時(shí)產(chǎn)生裂紋（產(chǎn)品龜裂）的風(fēng)險，有助于提高可靠性。此外，通過(guò)采用將芯片直接夾在框架之間的無(wú)線(xiàn)結構，還實(shí)現了出色的抗浪涌電流能力（IFSM）。即使在汽車(chē)引擎啟動(dòng)和家電運行異常等突發(fā)大電流狀況下，也不易損壞，高可靠性得到保證。
＜PMDE封裝產(chǎn)品概述＞ PMDE封裝用更小的尺寸實(shí)現了與SOD-123FL封裝同等的電氣特性，并可確保優(yōu)于SOD-123FL封裝的散熱性能和安裝可靠性。此外，支持車(chē)載應用的機型均符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”*1。下面介紹采用了PMDE封裝的特色產(chǎn)品陣容。（SBD： 僅RBR系列從2021年6月開(kāi)始量產(chǎn)。） 1. SBD： RBxx8系列的特點(diǎn)（新產(chǎn)品） SBD是具有低VF（正向電壓）*2和高效率特點(diǎn)的二極管。此次，具有超低IR（反向電流）*3特性、在高溫環(huán)境下也能穩定運行的RBxx8系列中，又新增了10款耐壓為30V～150V的PMDE封裝產(chǎn)品。 ・RBxx8系列的產(chǎn)品陣容表
2. SBD： RBR系列的特點(diǎn)（2021年8月發(fā)布） RBR系列既確保了效率提升的關(guān)鍵要素——低VF特性，又保持了此消彼長(cháng)的低IR（反向電流）特性，是在兩個(gè)要素之間取得良好平衡的系列產(chǎn)品，已于2020年6月開(kāi)始量產(chǎn)。該系列的產(chǎn)品陣容中已有6款PMDE封裝的機型。 ・RBR系列（PMDE封裝）的產(chǎn)品陣容表
3. FRD： RFN系列的特點(diǎn)（新產(chǎn)品） FRD是具有與整流二極管同等的高耐壓（～800V）性能、在高頻工作時(shí)很重要的參數——trr*4（反向恢復時(shí)間）表現出色的二極管。RFN系列用小型PMDE封裝實(shí)現了與以往產(chǎn)品同等的電氣特性。 ・RFN系列（PMDE封裝）的產(chǎn)品陣容表
4. TVS： VS系列的特點(diǎn)（新產(chǎn)品） TVS是用來(lái)吸收引擎啟動(dòng)或故障等情況下產(chǎn)生的突發(fā)電壓（浪涌*5）并使其降至一定電壓的二極管。VS系列支持范圍寬達5V～130V的各種截止電壓（VRWM）。（在5V～130V之間，分32檔設置各截止電壓） ・VS系列（PMDE封裝）的產(chǎn)品陣容表
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞ *1） 汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101 AEC是Automotive Electronics Council的縮寫(xiě)，是大型汽車(chē)制造商和大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的針對汽車(chē)電子元器件的可靠性標準。Q101是有關(guān)分立半導體元器件（晶體管、二極管等）的標準。 *2） 正向電壓： VF（Forward Voltage） 當電流沿從＋到－的方向流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的壓降。該值越低，效率越高。 *3） 反向電流： IR（Reverse Current） 施加反向電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。該值越低，功耗（反向功耗）越小。 *4） 反向恢復時(shí)間：trr（reverse recovery time） 在進(jìn)行開(kāi)關(guān)時(shí)，二極管從導通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低，開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。 *5） 浪涌 突發(fā)的大電壓或大電流。在不同的應用中，會(huì )因靜電、雷擊、引擎啟動(dòng)時(shí)的波動(dòng)等因素而造成浪涌，在設計電路時(shí)，必須配備即使在這些情況下也不會(huì )發(fā)生故障的保護電路。 |
