如果說(shuō)特斯拉在2018年正式打響了碳化硅上車(chē)的“發(fā)令槍”，現在新能源汽車(chē)市場(chǎng)應該比以往任何時(shí)候都更加逼近規�；宪�(chē)。 據不完全統計，比亞迪、吉利、現代、廣汽、小鵬等都發(fā)布了搭載800V高電壓平臺的車(chē)型，部分車(chē)企已經(jīng)在2022年量產(chǎn)。這場(chǎng)高壓快充升級革命，正在系統性革新上游供應鏈，其中功率器件作為重要參與部件，引發(fā)了二級市場(chǎng)對碳化硅等化合物半導體前所未有的追捧，2021年以來(lái)迎來(lái)多輪輪番炒作，Wind第三代半導體指數2021年全年漲幅超50%，另一方面，在新能源汽車(chē)市場(chǎng)，碳化硅到底能多大程度替代硅半導體市場(chǎng)，也同樣值得探討。
值得一提的是，高壓化的趨勢同時(shí)要求充電樁的部件性能重新適配，這也成為功率半導體重要的應用市場(chǎng)。一臺500KW以上的超充樁需要的功率半導體數量在500個(gè)以上，在全樁半導體中價(jià)值量占比達80%以上。目前硅基半導體應用較為普遍，雖然硅基也能滿(mǎn)足高電壓的性能要求，但效率和體積相比SiC仍存在差距。另一方面，國內自主品牌和造車(chē)新勢力的崛起或將為本土供應商帶來(lái)機會(huì )。據了解，吉利汽車(chē)、長(cháng)城汽車(chē)等自主品牌甚至參投國內第三代半導體廠(chǎng)商以綁定產(chǎn)能，本土化采購漸成趨勢。不過(guò)，碳化硅上車(chē)進(jìn)程剛剛開(kāi)始，目前局限于部分中高端車(chē)型。汽車(chē)獨立分析師張翔向表示，SiC半導體目前成本仍然偏高，且車(chē)端應用需要通過(guò)2-3年的車(chē)規認證，“一些車(chē)企現在拿出SiC的相關(guān)技術(shù)，更多是作為一種營(yíng)銷(xiāo)手段，并沒(méi)有真正推出量產(chǎn)車(chē)型�！绷硗�，半導體廠(chǎng)商下訂單需要一定量的支撐，比如特斯拉Model 3已經(jīng)達到約40萬(wàn)輛的銷(xiāo)量，而市面上在10萬(wàn)輛以上年銷(xiāo)量的車(chē)型屈指可數，當新能源汽車(chē)加速上量，就能反向助推碳化硅成本下降。 成本替代的轉折點(diǎn)需要同時(shí)考慮碳化硅器件的價(jià)格和節約的電池成本。當碳化硅模組價(jià)格下降到硅基模組的2倍左右時(shí)，系統性?xún)r(jià)比就會(huì )凸顯，這個(gè)時(shí)點(diǎn)可能發(fā)生在2025年，屆時(shí)將有大量主流車(chē)型普遍使用。 從電子器件廠(chǎng)商角度來(lái)看，碳化硅方案的成本下降趨勢是明確的�！疤蓟柙谥黩尩膽眯Ч亲詈玫�，帶來(lái)成本下降也是最顯著(zhù)的”，碳化硅與硅基襯底的成本差距在逐步縮小，已經(jīng)從幾年前4倍左右下降到平均2-3倍左右。設備廠(chǎng)商力挺長(cháng)期碳化硅、氮化鎵等生產(chǎn)成本下降的趨勢，從設備端來(lái)看，預計2023年還可以繼續下降25%左右的成本，進(jìn)一步縮減碳化硅與硅基的成本差。此外，供應鏈安全也是車(chē)企愿意嘗鮮的因素之一。投資人士稱(chēng)，目前車(chē)企還是更傾向于國外廠(chǎng)商，英飛凌等國際巨頭短時(shí)間內難以超越，出于安全考慮可能會(huì )把一部分供應鏈放在國內，“不能把雞蛋放在同一個(gè)籃子里”，這對國內廠(chǎng)商是個(gè)機會(huì )，但是也要徐徐而圖之。 我司專(zhuān)注于第三代半導體碳化硅（SiC） MOS 芯片設計、功率模塊的生產(chǎn)制造及其基于 SiC 器件在新能源領(lǐng)域 的應用系統開(kāi)發(fā)方案，由武岳峰資本及國內多家知名投資機構投資數 億元，中國科學(xué)院及清華大學(xué)博士領(lǐng)軍，數十位半導體行業(yè)資深人士 共同組建的高科技技術(shù)創(chuàng )新性企業(yè)。公司擁有全自主知識產(chǎn)權，已申請 25 項專(zhuān)利技術(shù)，采用 6 英寸技 術(shù)已量產(chǎn) 20 余款 650V~3300V 全系列 SiC MOSFET 產(chǎn)品，并建立起 車(chē)規級的 SiC MOS 模塊工廠(chǎng)，可為客戶(hù)提供整套應用解決方案。產(chǎn)品 已大量出口歐洲和美國客戶(hù)。 產(chǎn)品已通過(guò)IATF16949和ISO9001質(zhì)量體系雙重認證。產(chǎn)品已得到：美國通用 ，廈門(mén)金龍， 吉利，長(cháng)安，BYD等車(chē)企的認可和支持，國產(chǎn)碳化硅MOSFET和模塊的國產(chǎn)化，邁向新的征程。
碳化硅產(chǎn)品手冊.pdf
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采用SiC技術(shù)，車(chē)載雙向OBC體積可減小20%以上，節省了電動(dòng)汽車(chē)空間\重量，除了能夠降低系統成本，整車(chē)系統也更容易實(shí)現多合一小型集成化。同時(shí)，碳化硅方案比普通雙向OBC效率高2%-3%。 車(chē)載充電機一般為兩級電路，前級為圖騰柱無(wú)橋PFC（Power Factor Correction）級，后級為DC/DC級。 ● 單相一般采用BOOST結構，建議使用650V 、1200V--30A、60A等規格， TO247封裝 ● 三相一般采用VIENNA結構，建議使用1200V--30A、60A、100A等規格， TO247封裝 ● LLC中，如果OBC最高輸出電壓<550V，建議使用650V--30A、60A等規格， TO247封裝 如果最高輸出電壓>550V，建議使用1200V--30A、60A等規格，TO247封裝。
碳化硅產(chǎn)品資料-2022-9.pdf
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