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11月15日消息，據國外媒體報道，IBM、ARM同一批半導體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。 由于受超薄氧化物層覆蓋，采用該種芯片的設備將提供更好的性能以及更低的能耗。參與此次合作研究的公式有ARM、法國半導體廠(chǎng)商Leti、比利時(shí)魯汶大學(xué)(the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法國Soitec。 SOI工業(yè)協(xié)會(huì )組織的執行總裁Horacio Mendez表示： “這項工作表明表明電路板的制成技術(shù)由體硅轉向FD-SDI可以直接進(jìn)行，這僅取決于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技術(shù)。這項設計能縮短基于FD-SOI設備的面世時(shí)間，同時(shí)將帶來(lái)更優(yōu)化的ICs以及更快的實(shí)時(shí)速度�！� 研究中bulk-to-fd-soi網(wǎng)絡(luò )芯片設計的移植，將在現有的平面設計中進(jìn)行最小的調整，尤其是可行的標準單元庫、內存編譯器和輸入輸出操作系統，以獲得模擬和混合信號設計。 FD-SOI一項設計特點(diǎn)是其潛在性能，在運行全IP內核或者整組芯片時(shí)電壓的供給可以非常低，大概在0.5-0.6V之間。 目前，該小組正在為全芯片設計接口的兩線(xiàn)路進(jìn)行檢測。 |
