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來(lái)源：中國科學(xué)院上海微系統所 近日，上海微系統所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，制備出了國內第一片300 mm 射頻（RF）SOI晶圓。團隊基于集成電路材料全國重點(diǎn)實(shí)驗室300 mm SOI研發(fā)平臺，依次解決了300 mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術(shù)難題，實(shí)現了國內300mm SOI制造技術(shù)從無(wú)到有的重大突破。 為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底，團隊自主開(kāi)發(fā)了耦合橫向磁場(chǎng)的三維晶體生長(cháng)傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內對流和傳熱傳質(zhì)的影響機制以及結晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運機制，相關(guān)成果分別發(fā)表在晶體學(xué)領(lǐng)域的頂級期刊《Crystal growth & design》（23, 4480–4490, 2023）、《CrystEngComm》（25, 3493–3500, 2023, 封面文章）上�；诖四M結果指導拉晶工藝，最終成功制備出了適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底，氧含量小于5 ppma，電阻率大于5000 ohm.cm，相關(guān)成果發(fā)表于《Applied Physics Letters》（122, 112102, 2023）、《Applied Physics Express》（16, 031003, 2023）。 多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系；此外，由于多晶硅/硅的復合結構，使得硅晶圓應力極難控制。團隊為制造適用于300 mm RF-SOI晶圓的多晶硅層找到了合適的工藝窗口，實(shí)現了多晶硅層厚度、晶粒尺寸、晶向和應力的人工調節，相關(guān)成果發(fā)表于《Semiconductor Science and Technology》（38, 095002, 2023）、《ECS Journal of Solid State Science and Technology》（7, P35-P37, 2018）、《Chinese Physics Letters》（34, 068101, 2017; 35, 047302, 2018）等期刊上。圖1(a)展示了沉積的多晶硅薄膜表面SEM圖像；圖1(b)展示了多晶硅剖面TEM結構；圖1(c)為多晶硅薄膜及襯底縱向電阻率分布。 
圖1. (a) 多晶硅薄膜表面SEM圖片；(b) 多晶硅薄膜近表面電阻率分布；(c) 多晶硅薄膜及襯底縱向電阻率分布 在300 mm RF-SOI晶圓制備過(guò)程中，自主開(kāi)發(fā)了基于高溫熱處理的非接觸式平坦化工藝，實(shí)現了SOI晶圓原子級表面平坦化。圖2(a)展示了團隊研制的國內第一片300 mm RF-SOI晶圓；圖2(b)為RF-SOI晶圓剖面TEM照片，其擁有含多晶硅電荷俘獲層在內的四層結構；圖2(c)所示，最終RF-SOI晶圓頂層硅厚度中心值為75nm；圖2(d)所示，RF-SOI晶圓表面粗糙度小于0.2 nm。
圖2. (a) 國內第一片300 mm RF-SOI晶圓；(b) RF-SOI晶圓剖面TEM照片；(c) RF-SOI晶圓頂層硅厚度分布；(d) RF-SOI晶圓表面AFM圖 目前，RF-SOI晶圓，已經(jīng)成為射頻應用的主流襯底材料，占據開(kāi)關(guān)、低噪放和調諧器等射頻前端芯片90%以上的市場(chǎng)份額。隨著(zhù)5G網(wǎng)絡(luò )的全面鋪開(kāi)，移動(dòng)終端對射頻模塊的需求持續增加，射頻前端芯片制造工藝正在從200 mm到300mm RF-SOI過(guò)渡，借此機會(huì )，國內主流集成電路制造企業(yè)也在積極拓展300mm RF-SOI工藝代工能力。因此，300 mm RF-SOI晶圓的自主制備將有力推動(dòng)國內RF-SOI芯片設計、代工以及封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同快速發(fā)展，并為國內SOI晶圓的供應安全提供堅實(shí)的保障。 |
