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來(lái)源：SEMI中國 9月26日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠(chǎng)2027年展望報告（300mm Fab Outlook Report to 2027）》指出，從2025年到2027年，全球300mm晶圓廠(chǎng)設備支出預計將達到創(chuàng )紀錄的4000億美元。強勁的支出是由半導體晶圓廠(chǎng)的區域化以及數據中心和邊緣設備對人工智能（AI）芯片日益增長(cháng)的需求推動(dòng)的。 2024年，全球300mm晶圓廠(chǎng)設備支出預計將增長(cháng)4%，達到993億美元，到2025年將進(jìn)一步增長(cháng)24%，首次突破1000億美元，達到1232億美元。預計2026年支出將增長(cháng)11%，達到1362億美元，2027年將增長(cháng)3%，達到1408億美元。 SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“2025年全球300mm晶圓廠(chǎng)設備支出的預期增長(cháng)幅度為創(chuàng )紀錄的三年半導體制造投資奠定了基礎。全球芯片需求正在推動(dòng)設備支出，包括人工智能應用的前沿技術(shù)和由汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)應用驅動(dòng)的成熟技術(shù)�！� 
區域增長(cháng) 預計到2027年，中國將保持其作為全球300mm設備支出第一的地位，未來(lái)三年將投資超過(guò)1000億美元。然而，預計投資將從2024年的450億美元峰值逐漸減少到2027年的310億美元。 預計韓國將排名第二，未來(lái)三年將投資810億美元，以進(jìn)一步鞏固其在DRAM、HBM和3D NAND等存儲領(lǐng)域的主導地位。預計中國臺灣地區未來(lái)三年將投資750億美元，位居第三，因為該地區的芯片制造商將在海外建造一些新的晶圓廠(chǎng)，3納米以下是其投資的主要驅動(dòng)力。 從2025年到2027年，美洲地區預計投資630億美元，而日本、歐洲和中東以及東南亞預計將在三年內分別投資320億美元、270億美元和130億美元。值得注意的是，由于旨在緩解對關(guān)鍵半導體供應擔憂(yōu)的政策激勵措施，預計2027年這些地區的設備投資將比2024年增加一倍以上。 領(lǐng)域增長(cháng) 2025年至2027年間，Foundry設備支出預計將達到約2300億美元，這得益于對先進(jìn)節點(diǎn)的投資以及對成熟節點(diǎn)的持續支出。對2nm工藝的投資和2nm關(guān)鍵技術(shù)的開(kāi)發(fā)，如全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管結構和背面功率傳輸技術(shù)，對于滿(mǎn)足未來(lái)高性能和節能計算需求至關(guān)重要，特別是對于人工智能應用。由于對汽車(chē)電子和物聯(lián)網(wǎng)應用的需求不斷增加，在成本效益高的22nm和28nm工藝上有望實(shí)現增長(cháng)。 Logic和Micro領(lǐng)域預計將在未來(lái)三年率先擴大設備支出，預計總投資為1730億美元。Memory位居第二，預計同期將貢獻超過(guò)1200億美元的支出，標志著(zhù)另一個(gè)細分市場(chǎng)增長(cháng)周期的開(kāi)始。在Memory領(lǐng)域，DRAM相關(guān)設備的投資預計將超過(guò)750億美元，而3D NAND的投資預計達到450億美元。 Power相關(guān)領(lǐng)域排名第三，預計未來(lái)三年投資將超過(guò)300億美元，其中化合物半導體項目投資約140億美元。同期，模擬和混合信號領(lǐng)域預計將達到230億美元，其次是光電/傳感器，為128億美元。 作為SEMI Fab Forecast數據庫的一部分，SEMI《300mm晶圓廠(chǎng)2027年展望報告》列出了全球420座設施和生產(chǎn)線(xiàn)，其中包括預計高概率將在2024年開(kāi)始的未來(lái)四年內開(kāi)始運營(yíng)的79座設施。該報告反映了自上次2024年6月發(fā)布以來(lái)的169次更新和9個(gè)新的晶圓廠(chǎng)/生產(chǎn)線(xiàn)項目。 |
