pSemi宣布首款毫米波波束形成器和上下變頻轉換器IC套片實(shí)現量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2022-7-19 16:53    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 毫米波 , 波束形成器 , pSemi , 上下變頻
高度集成的IC套片可通過(guò)設計支持軟件輕松實(shí)現加速系統開(kāi)發(fā)進(jìn)度并提升系統性能

日前在國際微波研討會(huì )上,村田旗下專(zhuān)注于半導體集成技術(shù)的pSemi Corporation宣布兩款新型毫米波集成電路(IC)已進(jìn)入量產(chǎn)準備階段,這兩款I(lǐng)C適用于5G基站、5G客戶(hù)端設備以及點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電通信應用中的有源天線(xiàn)系統。除了8通道波束形成前端和雙通道上下變頻轉換器IC套片之外,pSemi還提供完整的工具和專(zhuān)業(yè)技術(shù)支持包,有助于簡(jiǎn)化毫米波設計和開(kāi)發(fā)。新款RF SOI IC套片是我們毫米波產(chǎn)品組合中的最新成員,這組業(yè)界最小尺寸的IC套片能夠提供n257、n258以及n260頻段的完整IF(中頻)至RF(射頻)解決方案。


新款毫米波IC套片適用于5G基站、5G客戶(hù)端設備,以及點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電通信應用中的有源天線(xiàn)系統。

5G毫米波波束形成器和上下變頻轉換器IC套片

pSemi銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Vikas Choudhary表示:“隨著(zhù)n257頻段在全球成為5G主流頻段,pSemi非常樂(lè )于推出一系列毫米波產(chǎn)品和設計工具來(lái)支撐市場(chǎng)對這一頻段不斷增長(cháng)的需求。pSemi在高頻半導體創(chuàng )新和制造方面歷史悠久,在毫米波解決方案領(lǐng)域擁有深厚的專(zhuān)業(yè)知識,且設施齊備,能夠打造性能和質(zhì)量方面均值得客戶(hù)和合作伙伴信賴(lài)的毫米波解決方案!
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波束形成器和上下變頻轉換器IC的功能及優(yōu)勢

PE188200波束形成器IC(n257頻段)和PE128300上下轉換器IC(n257、n258頻段)擁有一系列功能及優(yōu)勢,可為5G FR2系統設計人員提供極大的便利,其功能及優(yōu)勢包括:
•        最小的每通道設計尺寸——單片集成式RF SOI IC具有業(yè)界最小的尺寸,無(wú)需額外布線(xiàn)即可輕松用于構建大型陣列。
•        完整的IF至RF設計覆蓋范圍——上下變頻轉換器可以與多達四個(gè)pSemi波束形成器配對,以支持大規模MIMO、混合波束形成和其他有源天線(xiàn)配置。

此外,PE188200 8通道波束形成器IC能夠提供:
•        靈活的天線(xiàn)設計——8通道波束形成器IC支持4個(gè)雙極化或8個(gè)單極性天線(xiàn)單元,以及擴展配置,以實(shí)現最佳陣列增益、等效全向輻射功率(EIRP)和天線(xiàn)方向性。
•        波束形成精確度——所需EVM下的線(xiàn)性POUT具有低RMS相位和幅度誤差,可提高陣列增益和天線(xiàn)方向性,確保波束形成精確度。

PE128300雙通道上下變頻轉換器IC能夠提供:
•        高度集成的解決方案——業(yè)界首款雙通道上下變頻轉換器擁有最精致小巧的尺寸,能夠節省昂貴的空間。
•        低功耗——業(yè)界一流的上下變頻轉換器IC低功耗性能,支持更高效的系統散熱管理。
•        最大限度降低系統性能損害——最佳I/Q平衡和最小本振泄漏有助于提高EVM性能。

完整的毫米波控制軟件

除了樣品和評估套件(EVK)之外,pSemi還提供包含軟件工具和技術(shù)專(zhuān)業(yè)知識在內的完整支持包,幫助客戶(hù)快速熟練應用我們的波束形成器IC、上下變頻轉換器IC或兩者的陣列組合。
•        圖形用戶(hù)界面(GUI)——軟件GUI能夠確保寄存器編程的正確操作,以達成高效的代碼實(shí)現。
•        API集成——我們的GUI和API集成,能夠幫助您跨通道優(yōu)化性能。通過(guò)在客戶(hù)特定代碼中嵌入pSemi軟件,有助于加快軟件開(kāi)發(fā)和演示。
•        全面的用戶(hù)手冊——每款產(chǎn)品均提供全面的用戶(hù)手冊,其中包含寄存器編程要求和操作細節。

pSemi技術(shù)和質(zhì)量?jì)?yōu)勢

從樣機到批量出貨,pSemi提供的毫米波支持包中融合了公司在過(guò)去30多年積累的高頻半導體專(zhuān)業(yè)知識,具有能夠提供高性能、高集成和高可靠性支持的優(yōu)勢。
•        RF SOI創(chuàng )新——基于30多年的射頻集成電路(RFIC)設計創(chuàng )新,以及在經(jīng)驗豐富的技術(shù)專(zhuān)家的支持下,能夠在業(yè)界最小的外形尺寸中實(shí)現最高水平的集成。
•        專(zhuān)利和知識產(chǎn)權——作為RF SOI技術(shù)發(fā)明者,擁有1000多項專(zhuān)利,堅持致力于推動(dòng)高頻半導體器件性能的發(fā)展。
•        質(zhì)量和可制造性——由深受業(yè)界信賴(lài)的供應商村田公司提供支持,村田在滿(mǎn)足最高可靠性和質(zhì)量標準的大批量制造方面擁有成熟的經(jīng)驗。

更多信息

這些分立的RFIC作為村田天線(xiàn)集成模塊的一部分,于2022年6月21日至6月23日在pSemi IMS #7078號展位上進(jìn)行展示。

欲了解有關(guān)波束形成器和上下變頻轉換器RFIC的更多信息,請聯(lián)系pSemi團隊。

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