|
來(lái)源：全球半導體觀(guān)察整理 據江南大學(xué)消息，近日，江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計劃“產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)”專(zhuān)項2023年度項目立項名單公示結束，“氮化鎵微波毫米波無(wú)線(xiàn)能量轉換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項目獲得立項，這是學(xué)校作為主持單位獲得的首個(gè)千萬(wàn)級江蘇省重點(diǎn)研發(fā)項目，總預算2500萬(wàn)元，省級財政經(jīng)費支持1000萬(wàn)元。 “氮化鎵微波毫米波無(wú)線(xiàn)能量轉換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項目由江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院敖金平教授團隊牽頭組織，聯(lián)合蘇州實(shí)驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無(wú)錫華潤安盛科技有限公司、南京大學(xué)、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無(wú)線(xiàn)能量轉換芯片相關(guān)方面取得突破性進(jìn)展，并打通從實(shí)驗室到產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節，實(shí)現關(guān)鍵技術(shù)從“實(shí)驗室”走向“生產(chǎn)線(xiàn)”。 敖金平教授表示，該項目就是要依托各單位特色優(yōu)勢，在自支撐氮化鎵材料襯底上研發(fā)出高性能、低成本的微波-直流轉換芯片。通過(guò)探索新型半導體工藝、先進(jìn)封測技術(shù)來(lái)提高芯片穩定性、可靠性，團隊有信心整體性能達到國際前沿水平。 目前，江南大學(xué)建有寬帶隙/超寬禁帶半導體材料與器件實(shí)驗室，擁有材料生長(cháng)和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統等全套工藝設備，具有完整的材料生長(cháng)、器件制備及測試評價(jià)能力。 敖金平教授團隊有二十多年的GaN器件及電路研究經(jīng)歷，先后牽頭/參與完成了科技部重點(diǎn)專(zhuān)項、國家自然科學(xué)基金重大/重點(diǎn)項目等多項GaN基電子器件相關(guān)的科研項目。團隊研發(fā)了多款氮化鎵微波整流芯片，其微波-直流轉換效率達到90%以上，業(yè)內領(lǐng)先。 |
