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該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續發(fā)展 Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies（OTCQB場(chǎng)外交易代碼：ODII）的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。 此次收購將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN™技術(shù)的持續開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS™-5功率因數校正IC以及最近推出的InnoMux™-2系列單級多路輸出IC。該公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技術(shù)和產(chǎn)品。 Power Integrations技術(shù)副總裁Radu Barsan博士表示：“自2018年開(kāi)始出貨采用PowiGaN技術(shù)的產(chǎn)品以來(lái)，Power Integrations一直走在氮化鎵開(kāi)發(fā)和商業(yè)化的前沿。我們正在實(shí)施一項宏偉的產(chǎn)品研發(fā)路線(xiàn)，即實(shí)現與硅MOSFET成本持平的耐壓及功率能力均得到提高的PowiGaN產(chǎn)品。我們的目標是利用氮化鎵相對于碳化硅根本上的材料優(yōu)勢，以更低的成本和更高的性能將高電流、高電壓氮化鎵技術(shù)商業(yè)化，以支持目前由碳化硅(SiC)所涵蓋的更高功率的應用。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經(jīng)驗將增強并推進(jìn)這些工作的進(jìn)展，我們很高興他們能加入我們的團隊�！� Odyssey聯(lián)合創(chuàng )始人兼首席執行官Richard Brown博士補充道：“我和Odyssey團隊都很高興能加入Power Integrations，共同加速他們的氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)過(guò)程。作為首家實(shí)現高壓氮化鎵商業(yè)化的公司，Power Integrations將在成本、電壓電流以及在充分利用氮化鎵能力的系統級產(chǎn)品設計方面，繼續引領(lǐng)行業(yè)并推動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展�！� |
