Transphorm用于低功耗應用的高可靠性器件能簡(jiǎn)化電源系統的開(kāi)發(fā),減少元件數量;是18億美元規模的適配器市場(chǎng)的成熟解決方案 Transphorm, Inc.宣布,全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技術(shù),這是一種氮化鎵場(chǎng)效應管(FET)平臺,具有以下優(yōu)點(diǎn):系統設計簡(jiǎn)單,元件數量少,性能更高,可靠性一流。 ![]() 飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm),配備兩個(gè)USB-C端口和一個(gè)USB-A端口(2C1A),可同時(shí)為三臺設備充電。這款充電器采用了單個(gè)650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG,與采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構的硅解決方案相比,功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。 TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過(guò)JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件,具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。 Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類(lèi)似的閾值水平和高柵極擊穿電壓(最大±18 V)。它可以與現成的控制器(包括帶有集成驅動(dòng)器的控制器)配合使用,無(wú)需負偏置電壓。這些功能可簡(jiǎn)化電源系統的設計;消除對額外外圍電路的需求,從而減少元件數量;同時(shí)還能增加整個(gè)系統的可靠性——這些都是飛宏決定采用Transphorm FET的關(guān)鍵原因。 飛宏生產(chǎn)制造各種備受電子設備公司信賴(lài)的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優(yōu)勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡(jiǎn)單可設計性和可驅動(dòng)性,并且具有高柵極魯棒性,因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作伙伴。 根據Facts and Factors近期發(fā)布的一份報告,預計到2026年全球交流轉直流適配器市場(chǎng)規模將達到18.54億美元,年復合增長(cháng)率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報告中稱(chēng),其240毫歐器件的發(fā)展勢頭正在不斷加強,公司獲得了亞洲大型手機(65W)項目和領(lǐng)先的WW電子零售商(140W)項目的ODM預生產(chǎn)訂單。此外,該公司的市場(chǎng)份額增長(cháng)還得益于成功贏(yíng)得一家《財富》100強頭部企業(yè)的另一項筆記本適配器設計項目,其中包括5萬(wàn)個(gè)SuperGaN® 240毫歐FET的初始采購訂單。這些FET可以為65W快充適配器應用提供更高的效率,而競爭對手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐器件來(lái)滿(mǎn)足類(lèi)似應用的需求。因此,這些Transphorm SuperGaN® FET使客戶(hù)能夠利用更小的器件實(shí)現更強的性能。 Transphorm亞太區銷(xiāo)售副總裁Kenny Yim表示:“我們的SuperGaN平臺從一開(kāi)始就圍繞四大關(guān)鍵原則打造:可靠性、可設計性、可驅動(dòng)性和可重復性。我們的240毫歐器件也不例外。我們讓適配器制造商能夠設計出體積小、重量輕、發(fā)熱少的產(chǎn)品,并提供前沿的先進(jìn)USB充電功能。這些創(chuàng )新正在推動(dòng)全球適配器市場(chǎng)對氮化鎵的采用,使我們有能力通過(guò)大批量生產(chǎn)能力支持高性能的解決方案,從而鞏固我們的市場(chǎng)地位! |