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Transphorm用于低功耗應用的高可靠性器件能簡(jiǎn)化電源系統的開(kāi)發(fā)，減少元件數量；是18億美元規模的適配器市場(chǎng)的成熟解決方案 Transphorm, Inc.宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場(chǎng)效應管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統設計簡(jiǎn)單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。 
飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個(gè)USB-C端口和一個(gè)USB-A端口(2C1A)，可同時(shí)為三臺設備充電。這款充電器采用了單個(gè)650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，與采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。 TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過(guò)JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。 Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類(lèi)似的閾值水平和高柵極擊穿電壓（最大±18 V）。它可以與現成的控制器（包括帶有集成驅動(dòng)器的控制器）配合使用，無(wú)需負偏置電壓。這些功能可簡(jiǎn)化電源系統的設計；消除對額外外圍電路的需求，從而減少元件數量；同時(shí)還能增加整個(gè)系統的可靠性——這些都是飛宏決定采用Transphorm FET的關(guān)鍵原因。 飛宏生產(chǎn)制造各種備受電子設備公司信賴(lài)的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優(yōu)勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡(jiǎn)單可設計性和可驅動(dòng)性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作伙伴。 根據Facts and Factors近期發(fā)布的一份報告，預計到2026年全球交流轉直流適配器市場(chǎng)規模將達到18.54億美元，年復合增長(cháng)率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報告中稱(chēng)，其240毫歐器件的發(fā)展勢頭正在不斷加強，公司獲得了亞洲大型手機(65W)項目和領(lǐng)先的WW電子零售商(140W)項目的ODM預生產(chǎn)訂單。此外，該公司的市場(chǎng)份額增長(cháng)還得益于成功贏(yíng)得一家《財富》100強頭部企業(yè)的另一項筆記本適配器設計項目，其中包括5萬(wàn)個(gè)SuperGaN® 240毫歐FET的初始采購訂單。這些FET可以為65W快充適配器應用提供更高的效率，而競爭對手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐器件來(lái)滿(mǎn)足類(lèi)似應用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN® FET使客戶(hù)能夠利用更小的器件實(shí)現更強的性能。 Transphorm亞太區銷(xiāo)售副總裁Kenny Yim表示：“我們的SuperGaN平臺從一開(kāi)始就圍繞四大關(guān)鍵原則打造：可靠性、可設計性、可驅動(dòng)性和可重復性。我們的240毫歐器件也不例外。我們讓適配器制造商能夠設計出體積小、重量輕、發(fā)熱少的產(chǎn)品，并提供前沿的先進(jìn)USB充電功能。這些創(chuàng )新正在推動(dòng)全球適配器市場(chǎng)對氮化鎵的采用，使我們有能力通過(guò)大批量生產(chǎn)能力支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場(chǎng)地位�！� |
