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增強瑞薩寬禁帶專(zhuān)業(yè)知識和產(chǎn)品路線(xiàn)圖發(fā)展，以應對電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、人工智能電源以及可再生能源快速增長(cháng)的市場(chǎng)機遇 瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%，較過(guò)去十二個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約56%，較過(guò)去六個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關(guān)鍵材料）的內部技術(shù)，從而擴展其在電動(dòng)汽車(chē)、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長(cháng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。 作為碳中和的基石，對高效電力系統的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過(guò)渡。這些先進(jìn)材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開(kāi)關(guān)頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產(chǎn)線(xiàn)，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協(xié)議。 瑞薩現目標是利用Transphorm在GaN方面的專(zhuān)業(yè)知識進(jìn)一步擴展其WBG產(chǎn)品陣容。GaN是一種新興材料，可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優(yōu)勢使客戶(hù)的系統具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此，根據行業(yè)研究，GaN的需求預計每年將增長(cháng)50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車(chē)級GaN技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動(dòng)汽車(chē)的X-in-1動(dòng)力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應用的解決方案。 瑞薩首席執行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由來(lái)自加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經(jīng)驗豐富的團隊所領(lǐng)導的公司。Transphorm GaN技術(shù)的加入增強了我們在IGBT和SiC領(lǐng)域的發(fā)展勢頭。它將推動(dòng)和擴大我們的關(guān)鍵增長(cháng)支柱之一的功率產(chǎn)品陣容，使我們的客戶(hù)能夠選擇最佳的電源解決方案�！� Transphorm聯(lián)合創(chuàng )始人、總裁兼首席執行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯(lián)合創(chuàng )始人兼首席技術(shù)官Umesh Mishra博士表示：“結合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶(hù)關(guān)系，我們很高興能為WBG材料的行業(yè)廣泛采用鋪平道路，為其顯著(zhù)增長(cháng)奠定基礎。這項交易還將使我們能夠為客戶(hù)提供進(jìn)一步擴展服務(wù)，并為我們的股東帶來(lái)可觀(guān)的即時(shí)現金價(jià)值。此外，它將為我們杰出的團隊提供一個(gè)強大的平臺，以進(jìn)一步發(fā)展Transphorm卓越的GaN技術(shù)和產(chǎn)品�！� 交易明細 Transphorm董事會(huì )已一致批準最終協(xié)議，并建議Transphorm股東通過(guò)該最終交易并批準合并。在簽署最終協(xié)議的同時(shí)，持有Transphorm約38.6%已發(fā)行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協(xié)議以支持本次交易。 該交易預計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門(mén)的許可和其他慣例成交條件的滿(mǎn)足。 |
