碳化硅MOS已經(jīng)在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規格的OBC的PFC和LLC大批量使用。

第三代半導體SiC

第三代半導體SiC MOS

第三代半導體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)

SIC MOS寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)

碳化硅MOS已經(jīng)在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規格的OBC的PFC和LLC大批量用

PFC電路大量采用國產(chǎn)碳化硅MOS

SiC MOS功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統更簡(jiǎn)單

通過(guò)IATF16949、ISO9001等質(zhì)量體系和第三方AEC-Q101產(chǎn)品可靠性認證。

1200V-1700V-3300V 都有

SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅動(dòng)以及柵極驅動(dòng)器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc

http://selenalain.com/thread-841262-1-1.html碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性

SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動(dòng)以及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html

SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動(dòng)以及SiC柵極驅動(dòng)器示例 -   http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html