1700V100A內阻20mohm中國的碳化硅器件, 特性:低電容高速開(kāi)關(guān),高阻塞電壓,低RDS(on);使用標準門(mén)驅動(dòng),駕駛簡(jiǎn)單; 100%雪崩測試;最高結溫175°C;符合ROHS標準。
![]() ![]() ![]() ![]() 1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封裝TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7 |
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第三代半導體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn) |
國產(chǎn)首家過(guò)AEC-Q101 |
1700V100A高壓大電流 |
1700V100A厲害了 |
國產(chǎn)模塊 DCM/1200V800A |
SiC MOSFET在車(chē)載充電器(OBC)上越來(lái)越受歡迎 |
寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn) |
采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~1200V~1700V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。 |
http://selenalain.com/forum.ph ... jAwfDgxMDg4Ng%3D%3D碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 |
新能源都800V平臺了,1700V的 MOS應該會(huì )火起來(lái) |
碳化硅MOS管?chē)a(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V,后續推出6500V。 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-826808-1-1.html |
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封裝TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7 |
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
碳化硅MOS管電壓650V-1200V-1700V-3300V,電流5A-150A 。 - 汽車(chē)電子 - http://selenalain.com/thread-810886-1-1.html |
碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取碼uspc![]() |