碳化硅MOS管?chē)a(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。

發(fā)布時(shí)間：2023-6-20 12:16    發(fā)布者：Eways-SiC
碳化硅MOS管?chē)a(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf (10.15 MB) 擁有全自主知識產(chǎn)權，已申請40項專(zhuān)利技術(shù)，采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。
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Eways-SiC 發(fā)表于 2023-6-21 09:01:15
碳化硅MOS要推出6500V
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-6-29 12:19:20
國產(chǎn)SICMOS擁有全自主知識產(chǎn)權
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-8-2 11:32:55
碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-9-11 15:04:57
6500V 耐壓 牛
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-10-21 09:13:58
國產(chǎn)SICMOS 頂起
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-11-13 14:50:45
碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性  電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-841262-1-1.html
Eways-SiC 發(fā)表于 2023-12-13 16:02:52
國產(chǎn)SICMOS  牛
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-1-9 08:44:45
有碳化硅MOS晶圓
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-2-18 11:30:28
碳化硅MOS單管、晶圓芯片，全SiC 模塊
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-6-28 08:52:55
3300V 高壓MOS
Eways-SiC 發(fā)表于 2024-10-9 16:40:01
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng)  http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html
Eways-SiC 發(fā)表于 2025-2-12 09:08:38
碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs
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